ADF4153
特定网络阳离子
数据表
AV
DD
æ DV
DD
= SDV
DD
= 2.7 V至3.3 V ; V
P
= AV
DD
至5.5 V ; AGND = DGND = 0 V ;牛逼
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明;
dBm的简称50 Ω 。
表1中。
参数
射频特性（ 3 V ）
RF输入频率（ RF
IN
)
B版本
0.5/4.0
0.5/4.0
1.0/4.0
基准特性
REF
IN
输入频率
REF
IN
输入灵敏度
REF
IN
输入电容
REF
IN
输入电流
相位检测器
鉴相器频率
电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
绝对精度
R
SET
范围
I
CP
三态泄漏电流
匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
INH
，输入高电压
V
INL
，输入低电压
I
INH
/I
INL
，输入电流
C
IN
，输入电容
逻辑输出
V
OH
，输出电压高
V
OL
，输出低电压
电源
AV
DD
DV
DD
， SDV
DD
V
P
I
DD
低功耗睡眠模式
10/250
0.7/AV
DD
10
±100
32
ÿ版本
0.5/4.0
0.5/4.0
1.0/4.0
10/250
0.7/AV
DD
10
±100
32
单位
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
MHz的最小/最大
V P-P最小/最大
pF的最大
μA（最大值）
兆赫最大
可编程;见表9
有R
SET
= 5.1 kΩ
有R
SET
= 5.1 kΩ
漏极和源极电流
0.5 V < V
CP
＆ LT ; V
P
– 0.5
0.5 V < V
CP
＆ LT ; V
P
– 0.5
V
CP
= V
P
/2
测试条件/评论
参见图12，用于输入电路
B版本： -8 dBm的最小/ 0 dBm的最大
Ÿ版本： -6.5 dBm的最小/ 0 dBm的最大
对于较低频率，保证摆率（ SR）， > 400V / μs的
为-10 dBm / 0 dBm的最小/最大
图11给出了输入电路
对于f < 10兆赫，采用直流耦合， CMOS兼容
方波;压摆率> 25 V / μs的
偏置AV
DD
/2
5
312.5
2.5
1.5/10
1
2
2
2
1.4
0.6
±1
10
1.4
0.4
2.7/3.3
AV
DD
AV
DD
/5.5
24
1
5
312.5
2.5
1.5/10
4.5
2
2
2
1.4
0.6
±1
10
1.4
0.4
2.7/3.3
AV
DD
AV
DD
/5.5
24
1
毫安（典型值）
μA （典型值）
％ （典型值）
kΩ的最小/最大
nA的典型值
％ （典型值）
％ （典型值）
％ （典型值）
V分钟
V最大
μA（最大值）
pF的最大
V分钟
V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
最大mA
μA （典型值）
漏极开路1 kΩ的上拉至1.8 V
I
OL
= 500 µA
20毫安典型
修订版F |第24 4
AD [ ANALOG DEVICES ]
