数据表
参数
噪声特性
归一化相位噪声楼
（ PN
SYNTH
归一化的1 / f噪声（ PN
1_f
相位噪声性能
7
1750 MHz输出
1
2
ADF4153
B版本
−220
−114
−102
ÿ版本
−220
−114
−102
单位
dBc的/赫兹（典型值）
dBc的/赫兹（典型值）
dBc的/赫兹（典型值）
测试条件/评论
PLL环路带宽= 500千赫
测得在10 kHz偏移，归一化到1 GHz
@ VCO输出
@ 5 kHz偏置， 25 MHz的PFD频率
工作温度为B版为-40 ° C至+ 85°C 。
工作温度Y的版本为-40 ° C至+ 125°C 。
3
AC耦合确保AV
DD
/ 2偏置。
4
通过设计保证。样品测试，以确保合规性。
5
该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出中减去20的日志（N） （N为N分频器
值）和图10的日志（六
PFD
） 。 PN
SYNTH
= PN
合计
- 10日志（F
PFD
） - 20的日志（N）。
6
该PLL相位噪声是由1 / F（闪烁）噪声加归PLL底噪声。式用于在RF频率，男计算1 / f噪声的贡献
RF
,
并在偏移的频率f ，通过PN = P给定
1_f
+10日志（10千赫/女） +20日志（六
RF
/ 1千兆赫） 。无论是归一化相位噪声层和闪烁噪声建模中的ADIsimPLL 。
7
相位噪声测量与EV- ADF4153SD1Z和Agilent E5500相位噪声的系统。
8
f
REFIN
= 100 MHz的; ˚F
PFD
= 25 MHz的;偏移频率= 5千赫; RF
OUT
= 1750 MHz的; 70例;环路带宽= 20 kHz的;最低的噪声模式。
时序特定网络阳离子
AV
DD
æ DV
DD
= SDV
DD
= 2.7 V至3.3 V ; V
P
= AV
DD
至5.5 V ; AGND = DGND = 0 V ;牛逼
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明;
dBm的简称50 Ω 。
表2中。
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
在T限制
民
给T
最大
（B版）
20
10
10
25
25
10
20
t
4
CLK
单位
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
t
5
测试条件/评论
LE建立时间
DATA到CLK建立时间
DATA到CLK保持时间
CLK高时间
CLK低时间
CLK到LE建立时间
LE脉冲宽度
t
2
数据
DB23 （MSB）
DB22
t
3
DB2
DB1
（控制位C2 ）
DB0 （ LSB ）
（控制位C1 ）
t
7
LE
t
1
LE
t
6
03685-026
图2.时序图
修订版F |第24 5
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