数据表
特定网络阳离子
ADF4106
AV
DD
æ DV
DD
= 3 V± 10 ％ ， AV
DD
≤ V
P
≤ 5.5 V ， AGND = DGND = CPGND = 0 V ，R
SET
= 5.1 kΩ的， dBm的简称50 Ω ，T
A
= T
最大
给T
民
,
除非另有说明。
表1中。
参数
射频特性
RF输入频率（ RF
IN
)
RF输入灵敏度
最大允许预分频器
输出频率
REF
IN
特征
REF
IN
输入频率
REF
IN
输入灵敏度
REF
IN
输入电容
REF
IN
输入电流
相位检测器
鉴相器频率
电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
绝对精度
R
SET
范围
I
CP
三态泄漏
漏极和源极电流匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
IH
，输入高电压
V
IL
，输入低电压
I
INH
, I
INL
，输入电流
C
IN
，输入电容
逻辑输出
V
OH
，输出电压高
V
OH
，输出电压高
I
OH
V
OL
，输出低电压
电源
AV
DD
DV
DD
V
P
I
DD7
（ AI
DD
+ DI
DD
)
I
DD8
（ AI
DD
+ DI
DD
)
I
DD9
（ AI
DD
+ DI
DD
)
I
P
掉电模式
（ AI
DD
+ DI
DD
)
B版本
0.5/6.0
–10/0
300
325
20/300
0.8/V
DD
10
±100
104
B芯片
（典型值）
0.5/6.0
–10/0
300
325
20/300
0.8/V
DD
10
±100
104
单位
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
兆赫最大
兆赫最大
MHz的最小/最大
V P-P最小/最大
pF的最大
μA（最大值）
兆赫最大
测试条件/评论
请参阅图18为输入电路
对于较低频率，确保
压摆率（ SR ） > 320 V / μs的
P=8
P = 16
对于f < 20兆赫，确保SR > 50 V / μs的
偏置AV
DD
/ 2 （见注5
ABP = 0 ， 0 （ 2.9 ns的反冲脉冲宽度）
可编程，见表9
有R
SET
= 5.1 kΩ
有R
SET
= 5.1 kΩ
见表9
1 nA的典型;牛逼
A
= 25°C
0.5 V ≤ V
CP
≤ V
P
− 0.5 V
0.5 V ≤ V
CP
≤ V
P
− 0.5 V
V
CP
= V
P
/2
5
625
2.5
3.0/11
2
2
1.5
2
1.4
0.6
±1
10
1.4
V
DD
− 0.4
100
0.4
2.7/3.3
AV
DD
AV
DD
/5.5
11
11.5
13
0.4
10
5
625
2.5
3.0/11
2
2
1.5
2
1.4
0.6
±1
10
1.4
V
DD
− 0.4
100
0.4
2.7/3.3
AV
DD
AV
DD
/5.5
9.0
9.5
10.5
0.4
10
毫安（典型值）
μA （典型值）
％ （典型值）
千欧（典型值）
nA的最大
％ （典型值）
％ （典型值）
％ （典型值）
V分钟
V最大
μA（最大值）
pF的最大
V分钟
V分钟
μA（最大值）
V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
μA （典型值）
选择漏极开路输出， 1 kΩ上拉
电阻器1.8伏时
CMOS输出选择
I
OL
= 500 μA
AV
DD
≤ V
P
≤ 5.5V
9.0毫安（典型值）
9.5毫安（典型值）
10.5毫安（典型值）
T
A
= 25°C
修订版E |第24 3
AD [ ANALOG DEVICES ]
