ADE7755
参数
特定网络阳离子
单位
测试条件/评论
电源
AV
DD
DV
DD
AI
DD
DI
DD
4.75
5.25
4.75
5.25
3
2.5
V分钟
V最大
V分钟
V最大
最大mA
最大mA
对于指定的性能
5 V – 5%
5 V + 5%
5 V – 5%
5 V + 5%
2 mA时
通常情况下1.5毫安
笔记
1
请参阅规格说明术语部分。
2
见典型性能图图。
3
在最初发布的任何重新设计或工艺变更可能会影响该参数后的样品进行测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
时序特性
参数
t
1 3
t
2
t
3
t
43, 4
t
5
t
6
特定网络阳离子
275
请参阅表三
1/2 t
2
90
见表4
CLKIN/4
1, 2
（ AV
DD
æ DV
DD
= 5 V
5 ％ ， AGND = DGND = 0 V ，片内基准， CLKIN = 3.58 MHz时，T
民
to
T
最大
= -40°C至+ 85 ℃。 ）
测试条件/评论
F1和F2脉宽（逻辑低电平）
输出脉冲周期。见传递函数。
F1下降沿到F2下降沿之间的时间
CF脉冲宽度（逻辑高电平）
CF脉冲周期。见传递函数。
间F1和F2的最小脉冲时间
单位
ms
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
ms
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
笔记
1
在最初发布的任何重新设计或工艺变更可能会影响该参数后的样品进行测试。
2
参见图1 。
3
F1，F2和CF的脉冲宽度不是固定的更高的输出频率。见频率输出部分。
4
在CF脉冲始终是18
ms
在高频模式。见频率输出部分和表四。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
绝对最大额定值*
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
AV
DD
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
DV
DD
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
DV
DD
以AV
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+0.3 V
模拟输入电压至AGND
V1P ， V1N ， V2P和V2N 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -6 V至6 V
基准输入电压至AGND 。 。 -0.3 V至AV
DD
+ 0.3 V
数字输入电压至DGND 。 。 。 -0.3 V到DV
DD
+ 0.3 V
数字输出电压DGND 。 。 -0.3 V到DV
DD
+ 0.3 V
工作温度范围
工业。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
24引脚SSOP封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
q
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 112 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
订购指南
模型
ADE7755ARS
ADE7755ARSRL
ADE7755AN-REF
EVAL-ADE7755EB
包装说明
封装选项
收缩型小外形封装
RS-24
收缩卷小外形封装
RSRL-24
ADE7755的参考设计电路板（见AN- 559 ）
ADE7755评估板
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
在ADE7755具有专用ESD保护电路，永久性损害可能发生
器件经受高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
第0版
–3–
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