AD9066
绝对最大额定值
引脚说明
针
ENCODE
+V
S
INA ， INB
VT
REF A ，楼盘B
VB
D0 - D5当期开出
民
–0.5
–0.5
2.5
–0.5
0.0
最大
+V
S
7.0
+V
S
+V
S
+V
S
+V
S
20
单位
V
V
V
V
V
V
mA
AR ： JR ARS
针
针
号
编号名称
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
ENCODE
+V
S
GND
GND
+V
S
INA
GND
+V
S
VT
REF A
INB
REF B
VB
NC
D0B （ LSB ）
功能
TTL兼容的CMOS时钟，
样品在上升沿。
+5 V电源的数字输入。
地面上。
地面上。
+5 V电源（模拟） 。
A通道模拟输入。
地面上。
+5 V电源（模拟） 。
顶级的参考电压，旁路
到GND 。
中秋节参考ADC A ，绕道
到GND 。
B通道模拟输入。
中秋节参考ADC B，绕道
到GND 。
参考梯子的底部，附例
传递到GND 。
无连接。
数字量输出通道B ，
CMOS兼容。
说明测试级别
考试级别
I
II
III
IV
V
VI
描述
100 ％生产测试
100 ％生产测试，在+ 25 ℃，
样品测试在特定温度下
只有样品测试
参数由设计保证
参数只有典型值
经过100％测试，在+ 25°C
DIE布局和机械信息
模具尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 132
×
68
×
21 （ ±1）密耳
垫尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
×
4密耳
金属化。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。铝
后盾。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无
衬底电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
晶体管数量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5810
钝化。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。氮化硅
芯片粘接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。银填充
键合线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。金
订购指南
模型
AD9066AR
AD9066JR
AD9066ARS
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
封装选项*
R-28
R-28
RS-28
* R = “ SO ”小外形封装; RS = SSOP 。
D1B
D2B
D3B
D4B
D5B （MSB）
+V
S
+5 V电源的数字输出。
GND
地面上。
D0A （ LSB ）数字输出通道A ，
CMOS兼容。
D1A
D2A
D3A
D4A
D5A （MSB）
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然AD9066具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在经受高能量静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
REV 。一
–3–
AD [ ANALOG DEVICES ]
