AD8400/AD8402/AD8403–SPECIFICATIONS
1 K版
电气特性
参数
符号
(V
DD
= + 3V 10 ％或+ 5 V
另有说明）
条件
10%, V
A
= +V
DD
, V
B
= 0 V ， -40℃
≤
T
A
≤
+ 85°C ，除非
民
–5
–4
0.8
典型值
1
–1
±
1.5
1.2
700
53
0.75
最大
+3
+4
1.5
100
2
单位
最低位
最低位
kΩ
PPM /°C的
Ω
%
位
最低位
最低位
最低位
PPM /°C的
最低位
最低位
V
pF
pF
µA
Ω
V
V
V
V
V
V
µA
pF
V
µA
mA
µW
%/%
%/%
千赫
%
µs
纳伏/赫兹÷
dB
直流特性变阻器模式规范适用于所有村
电阻差NL
2
R- DNL
R
WB
, V
A
= NC
2
R- INL
R
WB
, V
A
= NC
非线性电阻器
标称阻值
3
R
T
A
= + 25 ° C，产品型号： AD840XYY1
V
AB
= V
DD
，雨刮=无连接
电阻温度系数
∆R
AB
/∆T
滑动端电阻
R
W
I
W
= 1 V / R
AB
标称电阻匹配
∆R/R
O
CH 1〜 2，V
AB
= V
DD
, T
A
= +25°C
直流特性电位器分规范适用于所有村
决议
N
INL
积分非线性
4
4
微分非线性
DNL
V
DD
= +5 V
DNL
V
DD
= 3 V，T
A
= +25°C
分压器温度系数
∆V
W
/∆T
码= 80
H
代码= FF
H
满量程误差
V
WFSE
零刻度误差
V
WZSE
码= 00
H
电阻端子
电压范围
5
电容
6
AX ，BX
电容
6
Wx
关断电源电流
7
关闭抽头电阻
数字输入输出&
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输出逻辑高电平
输出逻辑低电平
输入电流
输入电容
6
电源
电源电压范围
电源电流（ CMOS ）
电源电流（ TTL ）
8
功耗（ CMOS ）
9
电源灵敏度
动态特性
6, 10
带宽的-3 dB
总谐波失真
V
W
建立时间
电阻的噪声电压
相声
11
V
A，B ，W
C
A，B
C
W
I
DD_SD
R
W_SD
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
C
IL
V
DD
范围
I
DD
I
DD
P
DISS
PSS
PSS
BW_1K
THD
W
t
S
e
NWB
C
T
8
–6
–4
–5
–20
0
0
±
2
–1.5
–2
25
–12
6
+6
+2
+5
0
10
V
DD
F = 1MHz时，测量到GND ，代码= 80
H
F = 1MHz时，测量到GND ，代码= 80
H
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V,
SHDN
= 0
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V,
SHDN
= 0, V
DD
= +5 V
V
DD
= +5 V
V
DD
= +5 V
V
DD
= +3 V
V
DD
= +3 V
R
L
= 1 kΩ到V
DD
I
OL
= 1.6毫安， V
DD
= +5 V
V
IN
= 0 V或5 V ，V
DD
= +5 V
2.4
75
120
0.01
50
5
100
0.8
2.1
0.6
V
DD
–0.1
0.4
±
1
5
2.7
5.5
0.01
5
0.9
4
27.5
0.0035 0.008
0.05
0.13
5,000
0.015
0.5
3
–65
V
IH
= V
DD
或V
IL
= 0 V
V
IH
= 2.4 V或0.8 V ，V
DD
= +5.5 V
V
IH
= V
DD
或V
IL
= 0 V, V
DD
= +5.5 V
∆V
DD
= +5 V
±
10%
∆V
DD
= +3 V
±
10%
R = 1kΩ的
V
A
= 1 V RMS + 2 V DC ，V
B
= 2 V DC ， F = 1千赫
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V,
±
1％的误差带
R
WB
= 500
Ω,
F = 1千赫
RS
= 0
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V
注意事项1 kΩ器件
1
标准结构代表的平均读数为+ 25°C和V
DD
= +5 V.
2
电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻雨刮器之间测量的理想值之间的偏差
位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。参见图30测试电路。
I
W
= 500
µA
对于V
DD
= 3 V和I
W
= 4毫安V
DD
= + 5V为1 kΩ的版本。
3
V
AB
= V
DD
，雨刮器（V
W
） =无连接。
4
INL和DNL在V测量
W
与被配置为类似于一个电压输出的D / A转换器的电位计分压器的RDAC 。 V
A
= V
DD
和V
B
= 0 V.
的DNL规范极限值
±
1 LSB（最大值）保证单调的工作条件。参见图29测试电路。
5
电阻端子A， B，W对极性没有限制相对于对方。
6
通过设计保证，不受生产测试。电阻端电容测试测量与被测终端上2.5 V偏压。其余
电阻器端子处于开路。
7
测量斧头终端。所有的斧端子在关断模式下开路。
8
最坏的情况下电源电流为2.4 V ， CMOS逻辑的标准特征时所消耗的输入逻辑电平。参见图21我的阴谋
DD
与逻辑电压。
9
P
DISS
从（我计算
DD
×
V
DD
） 。 CMOS逻辑电平输入导致最小的功耗。
10
所有的动态特性采用V
DD
= +5 V.
11
测量在V
W
脚的地方相邻V
W
销使一满刻度电压的变化。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–4–
版本B
AD [ ANALOG DEVICES ]
