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AD8323ARU 参数 Datasheet PDF下载

AD8323ARU图片预览
型号: AD8323ARU
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内容描述: 5 V CATV线路驱动器精细步骤输出功率控制 [5 V CATV Line Driver Fine Step Output Power Control]
分类和应用: 驱动器有线电视功率控制
文件页数/大小: 16 页 / 278 K
品牌: AD [ ANALOG DEVICES ]
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AD8323
绝对最大额定值*
引脚配置
DATEN
SDATA
CLK
GND
V
CC
PD
睡觉
GND
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
28
GND
27
V
CC
26
V
IN-
25
V
IN +
24
GND
电源电压+ V
S
引脚5 ,9, 10 , 19 , 20 , 23 , 27 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6 V
输入电压
引脚25 , 26 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
0.5 V
引脚1 ,2,3 ,6,7 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.8 V至+5.5 V
内部功耗
TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9 W¯¯
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
焊接温度,焊接60秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件,在操作说明
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
AD8323
23
V
CC
顶视图
22
GND
(不按比例)
21
BYP
8
9
20
V
CC
19
V
CC
18
GND
17
GND
16
GND
15
OUT +
V
CC 10
GND
11
GND
12
GND
13
OUT-
14
订购指南
模型
AD8323ARU
AD8323ARU-REEL
AD8323-EVAL
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
28引脚TSSOP
28引脚TSSOP
评估板
JA
封装选项
RU-28
RU-28
67.7°C/W*
67.7°C/W*
*热
电阻测量SEMI标准4层板。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
在AD8323具有专用ESD保护电路,永久性的损害可能发生
器件经受高能量静电放电。因此,适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
引脚功能描述
警告!
ESD敏感器件
PIN号
1
助记符
DATEN
描述
数据使能低输入。此端口控制的8位并行数据锁存器和移位寄存器。的逻辑
0到1的转变传送锁存数据到衰减器芯(更新增益) ,同时将
neously禁止串行数据传送到寄存器。 1到0的跳变抑制数据锁存器
(保持之前的增益状态),同时启用寄存器的串行数据负载。
串行数据输入。这个数字输入允许一个8位串行(增益)字被加载到
内部寄存器的MSB(最高有效位)的第一个。
时钟输入。时钟端口控制串行衰减器的数据传输速率,以8位主 -
从寄存器中。的逻辑0到1的转换锁存器中的数据位和一个1到0的转移的数据位
奴隶。这需要将输入的串行数据字是有效的,或该时钟转换之前。
常见的外部接地参考。
2
3
SDATA
CLK
4, 8, 11,12,
13, 16, 17, 18,
22, 24, 28
5, 9, 10, 19,
20, 23, 27
6
7
14
15
21
25
26
GND
V
CC
PD
睡觉
OUT-
OUT +
BYP
V
IN +
V
IN-
常见的正外部电源。 A 0.1
µF
电容去耦必须每个引脚。
逻辑“0”,关闭电源的一部分。逻辑“1”电时的部分。
低功耗的睡眠模式。在睡眠模式下, AD8323的电源电流减小为4 mA 。一
逻辑“0”关闭电源部分(高阻
OUT
状态)和一个逻辑“1”电时的部分。
负输出信号。
正输出信号。
内部旁路。该引脚必须由外部交流耦合( 0.1
µF
盖) 。
同相输入。直流偏压以近似V
CC
/ 2 。对于单端反相操作,
使用0.1
µF
去耦电容和39.2
V之间的电阻
IN +
和地面。
反相输入端。直流偏压以近似V
CC
/ 2 。应交流耦合与0.1
µF
电容。
–4–
第0版