AD8091/AD8092
绝对最大额定值*
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12.6 V
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
共模输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
V
S
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
2.5 V
输出短路持续时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 125°C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
铅温度范围（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
RMS输出电压应予以考虑。 （若R
L
被引用
到V
S–
，在单电源供电，则总驱动功率为
V
S
I
OUT
.)
如果RMS信号电平是不确定的，然后再考虑
最坏的情况下，当V
OUT
= V
S
/ 4对于R
L
到中间电源电压：
V
S
4
P
D
=
(
V
S
×
I
S
)
+
R
L
2
（在使用R单电源供电
L
参考V
S–
最坏的情况是
V
OUT
= V
S
/2.)
气流会增加散热，有效地降低
JA
。另外，
更多金属直接与封装接触引线从金属
痕迹，通孔，接地和电源层会降低
JA
.
必须小心，以在输入端最小化寄生电容
高速运算放大器作为线索，在电路板布局讨论
部分。
图1示出了在包中的最大安全功耗
相对于环境温度的SOIC-8 （125℃ / W）。
SOT23-5 （ 180℃/ W），以及
µSOIC-8
（ 150℃/ W）的上包
JEDEC标准4层板。
2.0
T
J
= 150 C
最大功耗 - W
最大功率耗散
在AD8091 / AD8092的最大安全功耗
包是由结温的升高情况
(T
J
）在模具上。塑料封装模将达到当地
结温度。在约150℃ ，这是
玻璃化转变温度时，塑料会改变其特性。
即使只是暂时超过这一温度限值可能改变
强调，包施加在模具上，从而永久性地转变
在AD8091 / AD8092的参数性能。超过
的175℃下进行延长的时间周期结温度可以
导致的变化的硅器件，因而可能造成故障。
包的静止空气的热性能（
JA
），环境
温度（T
A
） ，总功率消耗在包
(P
D
）可以被用于确定芯片的结温。
结温度可以被计算如下：
T
J
=
T
A
+
(
P
D
× θ
J
A
)
消散在封装的功率（P
D
）是quies-的总和
百分之功耗与包装内的功率
由于对所有输出的负载驱动。静态功耗是
电源引脚之间的电压（V
S
静态电流）倍
(I
S
） 。假设负载（R
L
）被引用到中间电源电压，则
总驱动功率为V
S
/2 I
OUT
，其中一些被耗散在
包和一些在负载（Ⅴ
OUT
I
OUT
） 。区别
总的驱动电源和负载之间的电源为驱动器
功率消耗在包中。
P
D
=静态功耗+ （总驱动功率 - 负载功率）
2
V
S
V
OUT
V
OUT
P
D
=
(
V
S
×
I
S
)
+
×
–
R
L
R
L
2
1.5
SOIC-8
SOIC-8
1.0
SOT23-5
0.5
0
–40 –30 –20 –10
0 10 20 30 40 50 60
环境温度 - C
70
80
90
图1.最大功率耗散与温度的关系
对于四层板
REV 。一
–5–
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