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AD7892AR-3 参数 Datasheet PDF下载

AD7892AR-3图片预览
型号: AD7892AR-3
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内容描述: LC2MOS单电源, 12位600 kSPS的ADC [LC2MOS Single Supply, 12-Bit 600 kSPS ADC]
分类和应用:
文件页数/大小: 14 页 / 145 K
品牌: AD [ ANALOG DEVICES ]
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AD7892
参数
逻辑输出
输出高电压,V
OH
输出低电压,V
OL
DB11–DB0
浮态泄漏电流
浮态电容
4
输出编码
AD7892-1和AD7892-3
AD7892-2
转化率
转换时间
采样/保持捕获时间
3
转换时间
采样/保持捕获时间
3
电源要求
V
DD
I
DD5
正常工作
待机模式
6
AD7892-2
AD7892-3 , AD7892-1
功耗
5
正常工作
待机模式
6
AD7892-2
AD7892-3 , AD7892-1
一个版本
1
4.0
0.4
±
10
15
B版本
4.0
0.4
±
10
15
S版
2
4.0
0.4
±
10
15
单位
V分钟
V最大
µA
最大
pF的最大
测试条件/评论
I
来源
= 200
µA
I
SINK
= 1.6毫安
二进制补码
直(自然科学)二进制
1.47
0.2
1.6
0.4
+5
18
250
80
90
1.25
400
1.47
0.2
1.6
0.4
+5
18
250
80
90
1.25
400
µs
最大
µs
最大
µs
最大
µs
最大
V NOM
最大mA
µA
典型值
µA
最大
毫瓦MAX
毫瓦(典型值)
µW
最大
AD7892-3
AD7892-3
AD7892-1和AD7892-2
AD7892-1和AD7892-2
±
对于指定的性能5 %
1.68
0.32
+5
19
100
95
典型值15
µA
V
DD
= + 5V通常为60毫瓦
500
V
DD
= + 5V通常75
µW
笔记
1
温度范围如下: A,B版本: -40 ° C至+ 85°C ; S版: -55 ° C至+ 125°C 。
2
S版提供AD7892-1和AD7892-2只。
3
参见术语。
4
样品测试@ + 25°C ,以确保合规性。
5
这些正常模式和待机模式电流与电阻器来实现(在范围为10千欧至100千欧)来完成DGND或V
DD
在销8 ,9,16和17 。
6
A转换不应该在30以内的部分开始
µs
对退出待机模式。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
绝对最大额定值*
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明)
V
DD
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
V
DD
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
模拟输入电压至AGND
AD7892-1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
17 V
AD7892-2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ,V
DD
AD7892-3 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
7 V
基准输入电压至AGND 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
数字输入电压至DGND 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
数字输出电压DGND 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
工作温度范围
商业( A,B版本) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
扩展(S版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
塑料DIP封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 105 ° C / W
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 260℃
CERDIP封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 ° C / W
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
SOIC封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75 ° C / W
焊接温度,焊接
气相(60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
*注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
版本C
–3–