AD7821
时序特性
1
参数
t
CSS
t
CSH
t
RDY2
t
CRD
t
ACC03
t
INTH2
t
DH4
t
P
t
WR
t
RD
t
READ1
t
ACC13
t
RI
t
INTL2
t
READ2
t
ACC23
t
IHWR2
t
ID3
160
185
150
380
500
65
65
90
80
30
45
205
235
185
–
610
75
75
110
100
35
60
240
275
220
–
700
85
85
130
120
40
70
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
ns（最小值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
在+ 25℃极限
（所有版本）
0
0
70
700
t
CRD
+ 25
t
CRD
+ 50
50
80
15
60
350
250
10
250
160
0
0
85
875
t
CRD
+ 30
t
CRD
+ 65
–
85
15
70
425
325
10
350
205
(V
DD
= +5 V
±
5%, V
SS
= 0 V或-5 V
±
5％ ;单极性或双极性输入范围）
在极限
T
民
, T
最大
（T版）
0
0
100
975
t
CRD
+ 35
t
CRD
+ 75
–
90
15
80
500
400
10
450
240
在极限
T
民
, T
最大
（K ，B版本）
单位
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
ns（最小值）
ns（最大值）
ns（最小值）
ns（最小值）
µs
最大
ns（最小值）
ns（最小值）
条件/评论
CS
to
RD / WR
建立时间
CS
to
RD / WR
保持时间
CS
到RDY延迟。引体向上
电阻5 K1 。
转换时间（ RD模式）
数据访问时间（ RD模式）
C
L
= 20 pF的
C
L
= 100 pF的
RD
to
INT
延迟（ RD模式）
数据保持时间
转换之间的延迟时间
把脉冲宽度
之间的延迟时间
WR
和
RD
脉冲
RD
脉冲宽度（ WR - RD模式，见图12B ）
被T确定
ACC1
数据访问时间（ WR -RD模式中，参见图12b）的
C
L
= 20 pF的
C
L
= 100 pF的
RD
to
INT
延迟
WR
to
INT
延迟
RD
脉冲宽度（ WR - RD模式，请参阅图12a ）
被T确定
ACC2
数据访问时间（ WR -RD模式，见图12a）的
C
L
= 20 pF的
C
L
= 100 pF的
WR
to
INT
延迟（独立操作）
数据访问时间后，
INT
（独立操作）
C
L
= 20 pF的
C
L
= 100 pF的
笔记
1
在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。所有的输入控制信号从1.6V的电压电平与指定的指定tR = tF = 5纳秒（10％至90％的+ 5V）和定时
2
C
L
= 50 pF的。
3
测得的与图1的负载电路并且被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V。
4
定义为当加载的图2的电路来改变0.5伏所需的数据线的时间。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
测试电路
模型
1
AD7821KN
AD7821KP
AD7821KR
AD7821BQ
AD7821TQ
AD7821TE
订购指南
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
总
未经调整的包
错误（ LSB ）选项
2
±
1 MAX
±
1 MAX
±
1 MAX
±
1 MAX
±
1 MAX
±
1 MAX
N-20
P-20A
R-20
Q-20
Q-20
E-20A
一。高Z到V
OH
B 。高Z到V
OL
图1.负载电路进行数据访问时间测试
笔记
1
如需订购MIL -STD - 883 ， B类加工零件，添加/ 883B到零件
号。请联系当地的销售办事处为军事数据表。
2
E =无引线陶瓷芯片载体; N =塑料DIP ; P =塑料有引线
芯片载体; Q = CERDIP ; R = SOIC 。
A. V
OH
到高阻
B 。 V
OL
到高阻
图2.负载电路的数据保持时间测试
REV 。一
–3–
AD [ ANALOG DEVICES ]
