AD775
规格定义
积分非线性（ INL ）
微分相位
积分非线性是指每个单独的偏差
从“零”，通过绘制的线码“全尺寸”的
作为“零”点第一个代码转录发生前1/2 LSB
习得。 “全尺寸”的定义为1级1/2 LSB超越
最后一个码转换。的偏差是从中心测量
的每一个特定的代码来该直线的。
微分非线性（ DNL ，无失码）
在一个小的高频输出的相位的差
在低频率信号的两个规定的水平正弦波在其上
它是叠加的。
流水线延迟（延迟）
时钟周期的转换起始和之间的数
所提供的相关联的输出数据。新的输出
数据提供每一个时钟周期。
信号与噪声失真比（ S / N + D ）
理想的ADC码转换是完全1 LSB
分开。 DNL是从这个理想值的偏差。它往往是
在分辨率无失码的形式指定
（NMC ）的保证。
偏移误差
的S / N + D是测量的输入信号的均方根值之比
所有其它频谱成分，包括均方根和har-
monics但不包括直流。用于S / N + D的值被表示为
分贝。
总谐波失真（ THD ）
第一个代码转换应该发生在一个水平的1/2 LSB以上
标称负满量程。偏移量简称的底
梯V
RB
被定义为从该理想值的偏差。最后
代码转换应该发生1 1/2 LSB低于标称
正满量程。偏移所指的梯子顶部的V
RT
is
定义为从该理想值的偏差。
微分增益
THD是第6次谐波的COM的均方根和之比
ponents于所测量的输入信号的均方根值和是EX-
压，以百分比或以分贝为单位。
的输出振幅之间的百分比差异
在低频的2规定的电平小的高频正弦波
在其上叠加昆西信号。
工作原理
应用AD775
参考输入
该AD775采用流水线两个步骤（子区域）闪存架构设计师用手工
tecture实现显著更低的功耗和更低的输入
电容比传统的全闪存转换器，同时还
保持高吞吐量。模拟输入被采样
上的下降沿开关电容比较器
输入时钟：无需外部采样和保持是必需的。粗
比较确定的前四名位（MSB ） ，并选择
适当的参考阶梯水龙头的比较细。同
在时钟的下一个下降沿，比较精细确定
底部4位（LSB） 。由于LSB比较需要
他们的采样时刻和其决策之间的全时钟周期
锡永，两套精compara-之间的交替转换器
器在“乒乓”的时尚。此多路允许新
输入样值要采取在每个时钟下降沿，由此
提供20 MSPS操作。的数据被积累在
通过三态输出锁存器校正逻辑和输出
在时钟的上升沿。输入SAM-之间的延迟
耦和相应的转换后的输出是2.5个时钟周期。
所有这三个比较银行使用相同的电阻阶梯
它们的参考输入。模拟输入范围由下式确定
的电压施加到该梯形的底部和顶部，以及
的AD775可以使用单个支持数字化的输入下降到0 V
层。片上设置的应用程序的电阻，以使
梯子可以方便地通过在电源电压偏置。
该AD775采用开关电容自动调零技术
取消该比较器的偏移量，实现出色的差分
非线性性能：一般
±
0.3 LSB 。积分
非线性由基准的线性测定lad-
明镜，并且通常0.5 LSB。
在AD775设有类似的电阻参考梯
在大多数常规的闪速转换器中找到。模拟输入
该转换器的范围的顶部之间落入（Ⅴ
RT
）和底
(V
RB
）这个电压阶梯。该lad-的标称电阻
明镜是300欧姆，虽然这可能会发生变化，从230欧姆到450
欧姆。对于V的最小电压推荐
RB
为0 V ;该
该转换器有可能降低对输入的线性性能
跨度（V
RB
–V
RB
）低于1.8 V时2.8 V是推荐
最大梯顶的电压（V
RT
） ，梯子的顶部可以是
一样高的正电源电压（AV
DD
），以最小的线性
earity降解。
AV
DD
325Ω
16
17
0.1µF
300Ω
AD775
23
22
0.1µF
90Ω
AV
SS
*值
阻力
是典型的
图8.参考配置： 0.64 V至2.73 V
为了简化AD775 ，片内基准偏置的偏置电阻
设在引脚16器和22这两个建议
构对于这些电阻分别示于图8和图9 。
–6–
第0版
AD [ ANALOG DEVICES ]
