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AD7569JP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AD7569JP
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内容描述: LC2MOS完成, 8位模拟I / O系统 [LC2MOS Complete, 8-Bit Analog I/0 Systems]
分类和应用:
文件页数/大小: 20 页 / 505 K
品牌: AD [ ANALOG DEVICES ]
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AD7569 / AD7669 -时序特性
1
(请参阅图8,图10,图12 ; V
参数
DAC时序
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
ADC时序
t
6
t
7
t
8
t
9
t
10
t
11
t
12
t
132
t
143
t
15
t
16
t
172
在极限
25 C(所有级别)
80
0
0
60
10
50
110
20
0
0
60
0
60
95
10
60
65
120
60
90
在极限
T
, T
最大
( J,K , A,B级)
80
0
0
70
10
50
130
30
0
0
75
0
75
120
10
75
75
140
75
115
在极限
T
, T
最大
( S,T级)
90
0
0
80
10
50
150
30
0
0
90
0
90
135
10
85
85
160
90
135
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最大值)
DD
=5V
5%; V
SS
= 0 V或-5 V
5%)
测试条件/评论
WR
脉冲宽度
CS , A / B
to
WR
建立时间
CS , A / B
to
WR
保持时间
数据有效到
WR
建立时间
数据有效到
WR
保持时间
ST
脉冲宽度
ST
to
延迟
to
INT
延迟
to
CS
延迟
CS
to
RD
建立时间
RD
脉冲宽度决定用t
13
.
CS
to
RD
保持时间
数据访问时间后,
RD ;
C
L
= 20 pF的
数据访问时间后,
RD ;
C
L
= 100 pF的
总线释放时间后,
RD
RD
to
INT
延迟
RD
to
延迟
后数据有效时间
忙;
C
L
= 20 pF的
后数据有效时间
忙;
C
L
= 100 pF的
笔记
1
在+ 25 ° C样品测试,以确保合规性。所有的输入控制信号与T指定
R
= t
F
= 5纳秒(10%至90%的5 V)和从1.6V的电压电平的定时
2
t
13
和T
17
测量与图1的负载电路并且被定义为所需的输出时间跨越任一0.8V或2.4V。
3
t
l4
被定义为当加载的图2的电路来改变0.5伏所需的数据线的时间。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
一。高Z到V
OH
B 。高Z到V
OL
A. V
OH
到高阻
B 。 V
OL
到高阻
图1.负载电路进行数据访问时间测试
绝对最大额定值
图2.负载电路的总线释放时间测试
V
DD
到AGND
DAC
或AGND
ADC
. . . . . . . . . . . . . –0.3 V, +7 V
V
DD
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V, + 7V
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V, +14 V
AGND
DAC
或AGND
ADC
到DGND 。 。 。 。 0.3 V ,V
DD
+ 0.3 V
AGND
DAC
到AGND
ADC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
5 V
逻辑电压至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ,V
DD
+ 0.3 V
CLK输入电压至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ,V
DD
+ 0.3 V
V
OUT
(V
OUT
A,V
OUT
二)
AGND
1DAC
. . . . . . . . . . . . . . . . . V
SS
– 0.3 V, V
DD
+ 0.3 V
V
IN
到AGND
ADC
. . . . . . . . . . . . . . . V
SS
– 0.3 V, V
DD
+ 0.3 V
1
输出可以被短路到任何电压范围V
SS
到V
DD
只要该
封装的功耗不超过。典型的短路电流为
短至AGND或V
SS
为50毫安。
功率耗散(任何套餐)到+ 75°C 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
额定值下降75℃以上通过。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6毫瓦/°C的
工作温度范围
商业( J,K ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
工业( A,B ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
扩展的( S,T) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
*条件超过上述“绝对最大额定值”,可能会导致
永久损坏设备。这是一个压力只有额定值。功能操作
该设备在这些或任何其他条件超过上述所指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。
虽然AD7569 / AD7669具有专用ESD保护电路,永久性损坏
年龄可能会发生在遇到高能量静电放电设备。因此,适当的
ESD预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
–4–
警告!
ESD敏感器件
版本B