AD7545–SPECIFICATIONS
(V
参数
静态性能
决议
VERSION
所有
Ĵ ， A，S
K，B ，T
L，C ，U
GL ， GC ， GU
Ĵ ， A，S
K，B ，T
L，C ，U
GL ， GC ， GU
Ĵ ， A，S
K，B ，T
L，C ，U
GL ， GC ， GU
所有
所有
J，K ，L， GL
A， B，C ， GC
S， T，U ， GU
所有
12
±
2
±
1
±
1/2
±
1/2
±
4
±
1
±
1
±
1
±
20
±
10
±
5
±
1
±
5
0.015
10
10
10
2
REF
= +10 V, V
OUT1
= O V， AGND = DGND除非另有说明）
V
DD
= +15 V
范围
T
A
= + 25 （C T）
敏
T
MAX1
12
±
2
±
1
±
1/2
±
1/2
±
4
±
1
±
1
±
1
±
25
±
15
±
10
±
6
±
10
0.01
10
10
10
2
12
±
2
±
1
±
1/2
±
1/2
±
4
±
1
±
1
±
1
±
25
±
15
±
10
±
7
±
10
0.02
50
50
200
2
V
DD
= +5 V
范围
T
A
= + 25 （C T）
敏
T
MAX1
12
±
2
±
1
±
1/2
±
1/2
±
4
±
1
±
1
±
1
±
20
±
10
±
6
±
2
±
5
0.03
50
50
200
2
单位
位
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
PPM / ° C最大值
％按％最大
nA的最大
nA的最大
nA的最大
µs
最大
测试条件/评论
微分非线性
增益误差（使用内部RFB ）
2
10位单调牛逼
民
给T
最大
12位单调牛逼
民
给T
最大
12位单调牛逼
民
给T
最大
12位单调牛逼
民
给T
最大
DAC寄存器加载
1111 1111 1111
增益误差是使用可调
图4，图5和图6的电路
典型值是2 PPM / °下V
DD
= +5 V
∆V
DD
=
±
5%
DB0 - DB11 = 0 V ;
WR ， CS
= 0 V
增益温度COEF网络cient
3
ΔGain / ΔTemperature
直流电源抑制
3
ΔGain / ΔV
DD
输出漏电流在OUT1
动态性能
目前的稳定时间
3
1/2 LSB 。 OUT1负载= 100
Ω.
DAC
从下降沿输出测量
WR ， CS
= 0.
传播延迟
3
（从数字
输入电平变化到90 ％
最后的模拟输出）
数模转换毛刺Inpulse
AC穿心
5
在OUT1
参考输入
输入阻抗
（引脚19至GND）
模拟输出
输出电容
3
C
OUT1
C
OUT1
数字输入
输入高电压
V
IH
输入低电压
V
IL
输入电流
6
I
IN
输入电容
3
DB0–DB11
WR ， CS
开关特性
7
片选写建立时间
t
CS
片选写保持时间
t
CH
把脉冲宽度
t
WR
数据建立时间
t
DS
数据保持时间
t
DH
电源
I
DD
所有
所有
所有
所有
300
400
5
7
25
–
–
5
7
25
250
250
5
7
25
–
–
5
7
25
ns（最大值）
纳伏秒（典型值）
mV的P-P （典型值）
kΩ的分
kΩ最大值
OUT1负载= 100
Ω,
C
EXT
= 13 pF的
4
V
REF
= AGND
V
REF
=
±
10 V ， 10 kHz的正弦波
输入电阻TC = -300 PPM /°C的典型值
典型的输入电阻= 11 kΩ的
所有
70
200
70
200
70
200
70
200
pF的最大
pF的最大
DB0 - DB11 = 0 V ，
WR ， CS
= 0 V
DB0 - DB11 = V
DD
,
WR ， CS
= 0 V
所有
所有
所有
所有
所有
所有
2.4
0.8
±
1
5
20
280
200
0
250
175
140
100
10
2
100
10
2.4
0.8
±
10
5
20
380
270
0
400
280
210
150
10
2
500
10
13.5
1.5
±
1
5
20
180
120
0
160
100
90
60
10
2
100
10
13.5
1.5
±
10
5
20
200
150
0
240
170
120
80
10
2
500
10
V分钟
V最大
µA
最大
pF的最大
pF的最大
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
最大mA
µA
最大
µA
典型值
所有数字输入V
IL
或V
IH
所有数字输入0 V至V
DD
所有数字输入0 V至V
DD
t
CS
≥
t
WR
, t
CH
≥
0
V
IN
= 0或V
DD
V
IN
= 0
V
IN
= 0
见时序图
所有
所有
所有
所有
所有
笔记
1
温度范围如下： J，K ，L ，G L版本， 0℃至+ 70 ℃; A， B，C ， GC版本， -25 ° C至+ 85°C ; S， T，U GU版本， -55 ° C至+ 125°C 。
2
这包括为5 ppm的最大增益的TC的效果。
3
保证，但未经测试。
4
DB0 - DB11 = 0 V到V
DD
或V
DD
为0V。
5
穿通线可以通过连接的金属盖在陶瓷封装（后缀D）的到DGND进一步降低。
6
逻辑输入MOS盖茨。典型输入电流（ + 25℃）小于1 nA的。
7
在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
REV 。一
AD [ ANALOG DEVICES ]
