a
特点
直流性能
400 A最大静态电流
10 pA的最大偏置电流，预热（ AD648C ）
300 V最大失调电压（ AD648C ）
3 V / C最大漂移（ AD648C ）
2 V峰 - 峰值噪声， 0.1赫兹到10赫兹
AC性能
1.8 V / s的压摆率
1 MHz的单位增益带宽
可在小型塑封DIP ， CERDIP ，塑料SOIC
和密封金属罐包装
MIL- STD- 883B零件可用
表面贴装（ SOIC ）封装带和
卷轴符合EIA - 481A标准
单机版： AD548
产品说明
双路精密，
低功耗BiFET运算放大器
AD648
连接图
该AD648是一对匹配的低功耗，高精度单
岩屑运算放大器。它提供了低偏置电流
（ 10 pA的最大，热身）和低静态电流（ 400
µA
max）和被制造与离子注入场效应管和激光晶圆
微调技术。输入偏置电流保证在
AD648的整个共模电压范围。
经济Ĵ级的最大保证失调电压
小于2毫伏的年龄和更小的偏移电压漂移比
20
μV/°C 。
在C级使失调电压小于
0.30毫伏和失调电压漂移小于3
μV/°C 。
这个水平
直流精度，实现利用模拟的激光晶圆漂移
修整过程。低静态电流的结合
和低失调电压漂移最小化变化的输入失调
电压，由于自热效应。另外五个成绩
提供在商业，工业和军用温度
范围。
该AD648推荐用于所有的双电源运算放大器应用程序
阳离子要求低功耗和出色的直流和交流perfor-
曼斯。在应用中，如电池供电的，精密
仪器前端和CMOS DAC缓冲器， AD648的
低输入失调电压和漂移，低的完美结合
偏置电流，低1 / f噪声降低了输出误差。高
共模抑制比（86分贝，分上的“C”级）和
高开环增益保证了比12位线性度好高
阻抗缓冲器应用。
该AD648被固定在一个标准的双通道运算放大器的配置
化，并有七种性能等级。该AD648J
和AD648K的额定在商用温度范围
0° C至+ 70°C 。该AD648A ， AD648B和AD648C是
额定工作在-40 ° C至+ 85°C工业温度范围。
版本C
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这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
该AD648S和AD648T的额定军温度
-55 ℃的TURE至+ 125°C ，并可加工成
MIL- STD- 883B ，牧师C.
该AD648是采用8引脚小型塑封DIP ， CERDIP ，
SOIC ， TO- 99金属罐或芯片形式。
产品亮点
1.低电源电流，具有出色的直流和交流的结合
性能和低漂移，使AD648的理想运算
放大器针对高性能，低功耗的应用。
2. AD648与行业标准双运引脚兼容
安培如LF442 ， TL062和AD642 ，使
设计师提高性能的同时，实现了reduc-
灰中的高达85％的功耗。
3.保证低输入失调电压（ 2毫伏max）和漂移
(20
μV/°C
最大值）为AD648J得以实现利用模拟
器件的漂移激光微调技术。
4. ADI公司指定的暖机的每个器件所
DITION ，确保该装置将满足其公布的specifi-
阳离子在实际使用中。
5.匹配特性非常适合所有等级。该
在放大器之间的输入偏移电压的匹配
AD648J是在2 mV时，为C级匹配中
0.4毫伏。
放大器之间6.串扰小于-120分贝在1 kHz 。
7. AD648是在芯片的形式提供。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 617 / 329-4700
传真： 617 / 326-8703
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