AD588
0.1 F
0.1 F
噪音
减少
注意，第二电容器是必要的，以便执行
使用AD588的时候，降噪功能
在-10 V模式（图2c ）。降噪电容
器被限制在0.1
µF
最大值在这种模式下。
A3
R
B
A1
R1
R4
A4
R5
+V
S
R3
A2
R6
–5V
R2
–10V
+15V
0.1 F
系统
地
0.1 F
–15V
AD588
–V
S
1图4.影响
µ
减少f噪声电容
在宽带噪声
开启时间
系统
地
图2c 。 -10 V输出
修剪AD588介绍了在没有额外的错误
温度，因此，精密电位器是不需要的。
对于单输出电压范围，或在情况下，当平衡
调整不是必需的， 12引脚应连接到引脚11 。
如果增益调整不是必需的， 5脚应悬空。
噪声性能和降噪
当施加功率（冷启动）的，所需要的时间
输出电压到指定的误差范围内达到最终值
带是导通的稳定时间。两个组件一般
与此相关的是：时间为有源电路来解决和
时间对于在芯片上的热梯度达到稳定。图5a
和图5b示出了导通的AD588的特性。它
显示了沉降为约600
µs.
注意，不存在任何
当水平比例中扩大到2毫秒/厘米的热尾
图5b 。
由AD588产生的噪声通常小于6
µV
p-p
在0.1 Hz至10 Hz频带。噪声在1 MHz带宽
大约600
µV
峰 - 峰值。这种噪声的主要来源是
埋齐纳二极管，这有助于约100纳伏/ √Hz的。
相比较而言，运算放大器的贡献可以忽略不计。图3
示出了一个典型的AD588的0.1赫兹到10赫兹的噪声。
图5a 。电气导通论
图3. 0.1 Hz至10 Hz噪声（ 0.1 Hz至10 Hz BPF
具有1000的增益应用）
如果进一步降低噪音的需要，可选电容C
N
,
可与降噪引脚与地增加，
如在图2b中所示。这将形成一个低通滤波器，其
4千欧ř
B
在齐纳电池的输出。 A 1
µF
电容将
具有的3dB点在40赫兹并且减少高频
（ 1 MHz）的噪声至约200
µV
峰 - 峰值。图4示出了1兆赫
一个典型的AD588的具有和不具有一个1噪声
µF
电容。
图5b 。延长的时间尺度打开，在
输出的导通时间被修改，当外部噪声reduc-
化电容器被使用。如果存在，这个电容提供了一个
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Rev. D的
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