AD586
工作原理
该AD586包括一个专有的嵌入式齐纳二极管为参考的
单一模式，一个放大器来缓冲输出，并且几个高稳定性
薄膜电阻器，如在图5中所示的方框图。
这种设计导致了高精度单片5伏输出
2.0毫伏或更低与初始参考偏移。温度
补偿电路为设备提供一个温度
在2 PPM / ℃的系数。
使用齐纳输出的偏置补偿电阻
和同相输入到放大器，电容器可
在降噪引脚（引脚8）加入以形成一个低通
过滤和减少齐纳二极管的噪声贡献
电路。
V
IN
2
V
IN
2
V
IN
AD586
可选
噪音
减少
电容
8
噪音
减少
V
O 6
TRIM
5
产量
10kΩ
C
N
1µF
GND
00529-005
4
图6.可选精细修剪配置
噪声性能和降噪
由AD586产生的噪声通常小于4 μV峰峰值
在0.1 Hz至10 Hz频带。噪声在1 MHz带宽
大约200 μV峰 - 峰值。这种噪声的主要来源是
埋齐纳二极管，这有助于约100纳伏/ √Hz的。
通过比较，由运放的贡献是可以忽略的。图7
示出了一个典型的AD586的0.1赫兹到10赫兹的噪声。噪音
测量是用制成的1极的带通滤波器
高通滤波器的拐角频率在0.1赫兹，和一个二极
低通滤波器，角频率为12.6赫兹，创造
过滤用9.922赫兹的带宽。
如果进一步降低噪声是需要的，一个外部电容器可以
可降噪引脚与地之间增加，如
在图6中这种电容器示出，并结合4千欧ř
S
和齐纳电阻，形成在输出的低通滤波器
齐纳细胞。一个1μF电容将有3dB的点
12赫兹，而且会降低高频（ 1 MHz）的噪声
约160 μV P-P 。图8示出了一个典型的1 MHz的噪声
AD586 ，带或不带一个1μF电容。
1µF
5s
降噪
8
AD586
R
Z1
R
Z2
R
S
A1
R
F
R
I
R
T
5
6
V
OUT
TRIM
4
GND
笔记
1.引脚1 ， 3 ，和7是内部测试点。
不做任何连接这些点。
00529-001
图5.功能框图
应用AD586
该AD586是使用简单，几乎所有的精密基准电压源
应用程序。当电源被应用到引脚2和引脚4
接地引脚6提供5 V输出。无需外部元件
是必需的;的期望的绝对精度的程度达到
只需选择所需的设备档次。该AD586
需要从操作小于3mA静态电流
供应12 V或15 V.
外部细修剪可能期望的输出电平设置为
恰好5.000 V（校准到一个主系统参考） 。系统
校准也可能需要一个参考电压，该电压略
不同，从5.000伏，例如，5.12 V代表二进制的应用
系统蒸发散。在任一情况下，如图6中所示的可选的修整电路
可以抵消由多达300毫伏的输出以最小的效果
对其他设备的特性。
1µF
图7. 0.1 Hz至10 Hz噪声
修订版G |第16页第7
00529-006
AD [ ANALOG DEVICES ]
