AD585–SPECIFICATIONS
模型
民
采样/保持特性
采集时间， 10 V步骤0.01％
20 V步至0.01 ％
光圈时， 20 V P-P输入，
HOLD
0 V
孔径抖动， 20 V P-P输入，
HOLD
0 V
建立时间， 20 V P-P输入，
HOLD
0 V ，至0.01 ％
下降率
下垂比率T
民
给T
最大
电荷转移
样本 - 保存偏移
穿心
20 V P-P ， 10 kHz输入
传输特性
开环增益
V
OUT
= 20 V P-P ，R
L
= 2k
应用电阻不匹配
共模抑制
V
CM
=
±
10 V
小信号增益带宽
V
OUT
= 100毫伏峰 - 峰值
全功率带宽
V
OUT
= 20 V P-P
压摆率
V
OUT
= 20 V P-P
输出电阻（采样模式）
I
OUT
=
±
10毫安
输出短路电流
输出短路持续时间
1
（典型值+25 C和V
S
= 12 V或
HOLD
活性除非另有说明）
最大
3
5
民
AD585A
典型值
最大
3
5
35
0.5
0.5
1
每双10℃
0.3
–3
3
0.5
15 V和C
H
=内部， A = 1 ，
AD585S
典型值
AD585J
典型值
民
最大
3
5
单位
µs
µs
ns
ns
µs
毫伏/ MS
pC
mV
mV
35
0.5
0.5
1
双打每10℃
0.3
–3
3
0.5
35
0.5
0.5
1
双打每10℃
0.3
–3
3
0.5
200,000
0.3
80
2.0
160
10
0.05
50
不定
5
6
2
5
10
10
12
1.2
2.0
0.8
50
+5, –10.8
6
70
0
±
18
10
+5, –10.8
6
70
–25
1.4
1.6
1.2
2.0
80
200,000
0.3
80
2.0
160
10
0.05
50
不定
2
3
2
5
10
10
12
1.4
1.6
1.2
2.0
0.8
50
±
18
10
+5, –10.8
6
70
–55
200,000
0.3
V/V
%
dB
2.0
160
10
0.05
50
不定
2
3
2
50
2
兆赫
千赫
V / μs的
Ω
mA
模拟输入特性
失调电压
失调电压，T
民
给T
最大
偏置电流
偏置电流，T
民
给T
最大
输入电容， F = 1兆赫
输入电阻，样品或保持
20 V P-P输入， A = 1
数字输入特性
TTL参考输出
逻辑输入高电压
T
民
给T
最大
逻辑输入低电压
T
民
给T
最大
逻辑输入电流（任一输入端）
电源特性
工作电压范围
电源电流，R
L
=
∞
电源抑制，采样模式
温度范围
指定的性能
封装选项
CERDIP （ Q- 14 ）
LCC （ E- 20A ）
PLCC （ P- 20A ）
3, 4
20
10
10
12
1.4
mV
mV
nA
nA
pF
Ω
1.6
V
V
0.7
50
±
18
10
V
µA
V
mA
dB
°C
+70
+85
AD585AQ
+125
AD585SQ
AD585SE
AD585JP
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
如图规格
粗体
是在最后的电气测试上的所有生产经营单位
测试。结果，从这些测试被用来计算出射的质量水平。
所有的最小和最大规格
保证的，虽然只在所示的那些
笔记
1
最大输入信号是最低的供应减去2.5 V的电压裕量
2
在-55°C未经测试。
3
E =无引线陶瓷芯片载体; P =塑料有引线芯片载体; Q = CERDIP 。
4
对于AD585 / 883B的规格，请参阅ADI公司军用产品数据手册。
粗体
所有生产经营单位进行了测试。
–2–
REV 。一
AD [ ANALOG DEVICES ]
