AD1674
时序单机模式(图4a和4b )
参数
数据访问时间
低R / C脉冲宽度
自R / C STS延迟
数据有效后的R / C低
STS延迟数据有效后
高R / C脉冲宽度
符号
t
DDR
t
HRL
t
DS
t
HDR
t
HS
t
HRH
J,K , A,B等级
民
典型值
最大
150
50
200
25
0.6
150
0.8
1.2
民
50
T分级
典型值
最大
150
225
单位
ns
ns
ns
ns
µs
ns
25
0.6
150
0.8
1.2
记
所有的最小和最大规格有保证。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
t
HRL
_
的R / C
_
的R / C
t
HRH
t
DS
STS
STS
t
DS
t
C
t
HDR
DB11 - DB0
数据
有效
高-Z
数据有效
t
DDR
t
HS
DB11 - DB0
高-Z
t
HDR
数据
有效
t
C
高-Z
t
HL
图4a。单机模式下的低时序脉冲的R /
C
绝对最大额定值*
图4b。单机模式时序脉冲高为R /
C
V
CC
数码通用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0〜 + 16.5 V
V
EE
数码通用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至-16.5 V
V
逻辑
数码通用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 V至+7 V
模拟常见的数码常见。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
1 V
数字输入到数字通用。 。 。 -0.5 V到V
逻辑
+0.5 V
模拟输入到模拟常见。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
EE
到V
CC
20 V
IN
为模拟常见。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
EE
至+24 V
REF OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。短不定常见
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。瞬间短路到V
CC
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 175℃
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 825毫瓦
焊接温度,焊接( 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃ ,10秒
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
*条件超过上述“绝对最大额定值”,可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的操作部分是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
在AD1674具有专用ESD保护电路,永久性的损害可能发生
设备受到高能静电放电。因此,适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
订购指南
警告!
ESD敏感器件
模型
1
温度范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
INL
(T
民
给T
最大
)
±
1 LSB
±
1/2最低位
±
1 LSB
±
1/2最低位
±
1 LSB
±
1/2最低位
±
1 LSB
±
1/2最低位
±
1 LSB
S /(N + D)的
(T
民
给T
最大
)
69分贝
70分贝
69分贝
70分贝
69分贝
70分贝
69分贝
70分贝
70分贝
包
描述
塑料DIP
塑料DIP
塑料SOIC
塑料SOIC
塑料SOIC
塑料SOIC
陶瓷DIP
陶瓷DIP
陶瓷DIP
包
选项
2
N-28
N-28
R-28
R-28
R-28
R-28
D-28
D-28
D-28
AD1674JN
AD1674KN
AD1674JR
AD1674KR
AD1674AR
AD1674BR
AD1674AD
AD1674BD
AD1674TD
笔记
1
上档次,包装产品筛选符合MIL -STD- 883的详细信息,请参阅ADI公司军用产品数据手册或电流
AD1674 / 883B数据手册。 SMD也可以。
2
N =塑料DIP ; D =密封陶瓷DIP ; R =塑料SOIC 。
–6–
版本C