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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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     MOSFET – Power, Single, N-Channel
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    IMW65R039M1H

     CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。IMW65R039M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装，以提供经济高效的性能。
    半导体
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    GRM0225C1H150JA03#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    GCJ219R72A222KA01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    GQM1555C2D2R7WB01#

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    PMV52ENE

     30 V, N-channel Trench MOSFETProduction
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    GCM31C5C2E183GX03#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    GRM188R72A122KA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    FQP20N06L

     功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，21 A，55 mΩ，TO-220
    局域网开关脉冲晶体管
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    BD35395FJ-M

     BD35395FJ-M是适用于JEDEC标准DDR1/2/3/3L-SDRAM的终端稳压器。内置N-MOSFET，漏型/源型最大可提供1A电流的线性电源。内部的OP-AMP采用高速设计，实现了优异的瞬态响应特性。为驱动内部的N-MOSFET，需要3.3V或5.0V偏压电源。为确保JEDEC规定的电压精度，本产品拥有独立的基准输入引脚（VDDQ）和独立的反馈引脚（VTTS），实现了优异的输出电压精度和负载调整率。Power Supply Reference BoardFor Xilinx’s FPGA Spartan-7
    驱动动态存储器双倍数据速率稳压器
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    GCG155R71C273KA01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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