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    APT25GP90BDQ1 参数 Datasheet PDF下载

    APT25GP90BDQ1图片预览
    型号： APT25GP90BDQ1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOS 7 IGBT [POWER MOS 7 IGBT]
    分类和应用： 晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管局域网
    文件页数/大小： 9 页 / 444 K
    品牌： ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
     浏览型号APT25GP90BDQ1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号APT25GP90BDQ1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APT25GP90BDQ1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APT25GP90BDQ1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号APT25GP90BDQ1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号APT25GP90BDQ1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号APT25GP90BDQ1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号APT25GP90BDQ1的Datasheet PDF文件第9页  
    18
    t
    D（上）
    ，导通延迟时间（纳秒）
    16
    14
    12
    10
    8
    6
    4
    V
    CE
    = 600V
    T
    J
    = 25°C
    ,
    或125°C
    2
    R
    G
    = 4.3Ω
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    I
    CE
    ，集电极到发射极电流（ A）
    图9 ，导通延迟时间与集电极电流
    100
    V
    GE
    = 15V
    t
    D（关闭）
    ，关断延迟时间（纳秒）
    APT25GP90BDQ1(G)
    80
    V
    GE
    =15V,T
    J
    =125°C
    60
    V
    GE
    =15V,T
    J
    =25°C
    40
    20
    0
    L = 100μH
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    I
    CE
    ，集电极到发射极电流（ A）
    图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
    0
    V
    CE
    =
    600V
    R
    G
    =
    4.3Ω
    L = 100μH
    50
    R
    G
    =
    4.3Ω, L
    =
    100
    µ
    H，V
    CE
    =
    600V
    120
    100
    t
    f,
    下降时间（纳秒）
    80
    60
    40
    20
    0
    R
    G
    =
    4.3Ω, L
    =
    100
    µ
    H，V
    CE
    =
    600V
    40
    t
    r,
    上升时间（纳秒）
    T
    J
    =
    125°C ，V
    GE
    =
    15V
    30
    20
    T
    J
    =
    25或125°C ，V
    GE
    =
    15V
    T
    J
    =
    25 ° C，V
    GE
    =
    15V
    10
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    I
    CE
    ，集电极到发射极电流（ A）
    图11 ，电流上升时间与集电极电流
    0
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    I
    CE
    ，集电极到发射极电流（ A）
    图12 ，电流下降时间与集电极电流
    3000
    E
    ON2
    ，开启能量损失（ μJ ）
    2500
    2000
    1500
    1000
    500
    0
    E
    关闭
    ，关闭能量损失（ μJ ）
    V
    = 600V
    CE
    V
    = +15V
    GE
    R = 4.3Ω
    G
    2500
    = 600V
    V
    CE
    = +15V
    V
    GE
    R = 4.3Ω
    G
    T
    J
    =
    125°C
    2000
    T
    J
    =
    125°C
    1500
    1000
    500
    T
    J
    =
    25°C
    T
    J
    =
    25°C
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    I
    CE
    ，集电极到发射极电流（ A）
    图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    I
    CE
    ，集电极到发射极电流（ A）
    图14 ，关闭能量损失VS集电极电流
    0
    4000
    开关损耗（ μJ ）
    3500
    3000
    2500
    2000
    1500
    1000
    500
    J
    开关损耗（ μJ ）
    = 600V
    V
    CE
    = +15V
    V
    GE
    T = 125°C
    3000
    E
    on2,
    50A
    2500
    2000
    1500
    1000
    500
    0
    = 600V
    V
    CE
    = +15V
    V
    GE
    R = 4.3Ω
    G
    E
    on2,
    50A
    E
    关，
    50A
    E
    关，
    50A
    E
    on2,
    25A
    E
    关，
    25A
    11-2005
    E
    on2,
    12.5A
    E
    关，
    12.5A
    E
    on2,
    25A
    E
    关，
    25A
    E
    on2,
    12.5A
    E
    关，
    12.5A
    REV A
    050-7476
    50
    40
    30
    20
    10
    R
    G
    ，栅极电阻（欧姆）
    图15 ，开关损耗与栅极电阻
    0
    0
    125
    100
    75
    50
    25
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    图16 ，开关损耗VS结温
    0

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