典型性能曲线
®
APT25GN120B2DQ2
APT25GN120B2DQ2G*
APT25GN120B2DQ2(G)
1200V
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
利用最新的非穿通（ NPT）场站的技术，这些IGBT的
具有非常短的，低幅度的尾电流和低的Eoff 。沟槽栅设计
结果优于V
CE （ON）的
性能。从非常紧张的易于并联的结果
参数分布及微正压V
CE （ON）的
温度COEF网络cient 。内建的
栅极电阻保证了超可靠运行。低栅极电荷简化网络连接的ES栅极驱动
设计和最小化损失。
(B2)
T-最大
®
•
•
•
•
•
1200V NPT场站
沟槽栅：低V
CE （ON）的
简单的并联
为10μs短路能力
综合型栅极电阻：低EMI ，高可靠性
C
G
E
应用范围：焊接，感应加热，太阳能逆变器，开关电源，马达驱动器， UPS
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT25GN120B2DQ2(G)
单位
伏
1200
±30
67
33
75
75A @ 1200V
272
-55到150
300
安培
@ T
C
= 150°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
瓦
°C
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 150µA)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
1200
5
1.4
2
2
5.8
1.7
1.9
6.5
2.1
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 25A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 25A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
伏
I
CES
I
GES
R
GINT
200
待定
600
8
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
综合型栅极电阻
nA
Ω
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
050-7603
版本B
10-2005
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
µA
ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
