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    APT20M11JLL 参数 Datasheet PDF下载

    APT20M11JLL图片预览
    型号： APT20M11JLL
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOS 7 MOSFET [POWER MOS 7 MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 5 页 / 169 K
    品牌： ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
     浏览型号APT20M11JLL的Datasheet PDF文件第1页浏览型号APT20M11JLL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APT20M11JLL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号APT20M11JLL的Datasheet PDF文件第5页  
    典型性能曲线
    连接点
    TEMP 。 （ ° C）
    遥控模型
    300
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    APT20M11JLL
    VGS = 15 &10V
    8V
    250
    200
    150
    0.0268
    0.0456F
    7.5V
    动力
    （瓦特）
    0.109
    0.765F
    7V
    100
    6.5
    50
    0
    6V
    5.5V
    0.0426
    外壳温度。 （ ° C）
    23.5F
    图2 ，瞬态热阻抗模型
    R
    DS （ ON）
    ，漏极 - 源极导通电阻
    350
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（伏）
    图3 ，低电压输出特性
    1.40
    V
    GS
    300
    250
    200
    150
    100
    VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
    250微秒。脉冲测试
    @ <0.5 ％占空比
    归一
    = 10V @ I = 88A
    D
    1.30
    1.20
    1.10
    1.00
    0.90
    0.80
    VGS=20V
    0
    50
    100 150 200 250 300 350
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    图5中，R
    DS （ ON）
    VS漏电流
    TJ = + 125°C
    TJ = + 25°C
    TJ = -55°C
    VGS=10V
    50
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    V
    GS
    ，栅极至源极电压（伏）
    图4 ，传热特性
    180
    160
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    BV
    DSS
    ，漏极 - 源极击穿
    电压（归）
    I
    V
    D
    1.15
    140
    120
    100
    80
    60
    40
    20
    0
    25
    1.10
    1.05
    1.00
    0.95
    R
    DS （ ON）
    ，漏极 - 源极导通电阻
    （归一化）
    50
    75
    100
    125
    150
    T
    C
    ，外壳温度（ ° C）
    图6 ，最大漏极电流与外壳温度
    2.5
    = 88A
    = 10V
    GS
    0.90
    -50
    -25
    0
    25
    50 75 100 125 150
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    图7 ，击穿电压与温度
    1.2
    1.1
    1.0
    0.9
    0.8
    0.7
    0.6
    -50
    2.0
    1.5
    1.0
    V
    GS （ TH）
    阈值电压
    （归一化）
    0.5
    0.0
    -50
    -25
    0
    25 50
    75 100 125 150
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    图8中，R
    DS （ ON）
    与温度的关系
    -25
    0
    25
    50
    75 100 125 150
    T
    C
    ，外壳温度（ ° C）
    图9 ，阈值电压与温度
    050-7022修订版D
    9-2004

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