600V 20A 0.220Ω
APT20N60BCF
APT20N60SCF
APT20N60BCFG * APT20N60SCFG *
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
ç OLMOS
O
功率半导体
超级结FREDFET
TO
-2
47
D
3
PAK
•超低低R
DS （ ON）
•低米勒电容
•超低栅极电荷，Q
g
•额定雪崩能量
•至尊的dv / dt评分
•内在的快速恢复体二极管
•极端低反向恢复电荷
•适用于ZVS应用
•热门TO- 247或表面贴装ð
3
包
G
S
D
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
DV /
dt
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20N60BCF(G)_SCF(G)
单位
伏
600
20
13
60
±30
208
1.67
-55到150
260
80
20
7
4
安培
门源电压连续
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
漏源电压斜率（V
DS
= 480V ，我
D
= 20A ，T
J
= 125°C)
雪崩电流
7
伏
瓦
W / ℃，
°C
V / ns的
安培
mJ
重复性雪崩能量
1
690
单脉冲雪崩能量
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250µA)
漏源导通电阻
2
民
600
典型值
最大
单位
伏
(V
GS
= 10V ，我
D
= 13A)
0.220
2.1
1700
±100
3
4
5
欧
µA
nA
伏
5-2005
050-7235修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150°C)
门源漏电流（V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
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注意：这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
"COOLMOS ™包括通过在网络霓虹科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。 "COOLMOS"是与贸易
对在科幻霓虹技术AG."大关
ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
