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    APT20M45BVR 参数 Datasheet PDF下载

    APT20M45BVR图片预览
    型号： APT20M45BVR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 [Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 96 K
    品牌： ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
     浏览型号APT20M45BVR的Datasheet PDF文件第1页浏览型号APT20M45BVR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APT20M45BVR的Datasheet PDF文件第4页  
    APT20M45BVR
    100
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    VGS = 8V ，9V， 10V & 15V
    100
    6.5V
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    80
    6V
    60
    5.5V
    40
    5V
    20
    4.5V
    0
    4V
    VGS=15V
    7V
    VGS = 8V ， 9V & 10V
    6.5V
    80
    6V
    60
    5.5V
    40
    5V
    20
    4.5V
    0
    4V
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（伏）
    图2 ，典型输出特性
    R
    DS
    （ON ） ，漏极至源极导通电阻
    100
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    TJ = -55°C
    TJ = + 25°C
    TJ = + 125°C
    60
    VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
    250μSEC 。脉冲测试
    @ <0.5 ％占空比
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（伏）
    图3 ，典型输出特性
    1.6
    V
    GS
    归一
    = 10V @ 0.5 I [续]
    D
    80
    1.4
    1.2
    40
    TJ = + 125°C
    TJ = + 25°C
    0
    TJ = -55°C
    VGS=10V
    VGS=20V
    1.0
    20
    0
    2
    4
    6
    8
    V
    GS
    ，栅极至源极电压（伏）
    图4 ，一般传输特性
    60
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    50
    40
    30
    0.8
    0
    40
    80
    120
    160
    200
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    图5中，R
    DS
    （ ON）与漏电流
    BV
    DSS
    ，漏极 - 源极击穿
    电压（归）
    25
    I = 0.5 I [续]
    D
    D
    GS
    1.15
    1.10
    1.05
    1.00
    20
    10
    0
    0.95
    50
    75
    100
    125
    150
    T
    C
    ，外壳温度（ ° C）
    图6 ，最大漏极电流与外壳温度
    R
    DS
    （ON ） ，漏极至源极导通电阻
    （归一化）
    2.5
    V
    GS
    （ TH ） ，阈值电压
    （归一化）
    V
    = 10V
    -25
    0
    25 50 75 100 125 150
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    图7 ，击穿电压与温度
    1.2
    1.1
    1.0
    0.9
    0.90
    -50
    2.0
    1.5
    1.0
    0.8
    0.7
    0.6
    050-5514版本C
    0.5
    0.0
    -50
    -25
    0
    25 50
    75 100 125 150
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    图8 ，导通电阻与温度
    -25
    0
    25 50 75 100 125 150
    T
    C
    ，外壳温度（ ° C）
    图9 ，阈值电压与温度
    -50

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