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APT15GP90BG 参数 Datasheet PDF下载

APT15GP90BG图片预览
型号: APT15GP90BG
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内容描述: 功率MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT的 [The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管高压局域网
文件页数/大小: 6 页 / 397 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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典型性能曲线
60
50
V
GE
= 15V
50
APT15GP90B(G)
V
GE
= 10V
I
C
,集电极电流( A)
I
C
,集电极电流( A)
T
J
= 25°C
40
30
40
30
T
J
= 25°C
20
T
J
= 125°C
20
10
0
T
J
= 125°C
10
100
图1中,输出特性(T
J
= 25°C)
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
250μs的脉冲
TEST<0.5 %占空比
周期
0
1
2
3
4
5
6
V
CE
,集气器 - 发射极电压( V)
0
16
14
12
10
图2中,输出特性(T
J
= 125°C)
I = 15A
C
中T = 25℃
J
0
1
2
3
4
5
6
V
CE
,集气器 - 发射极电压( V)
90
I
C
,集电极电流( A)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
V
CE
= 180V
V
CE
= 450V
8
6
4
2
0
0
10
V
CE
= 720V
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
2
4
6
8
10
12
14
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
20
30
40
50
栅极电荷( NC)
60
70
图3 ,传输特性
图4中,栅极电荷
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
6
5
4
3
2
1
0
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
I
C
= 30A
I
C
= 15A
I
C
= 30A
I
C
= 15A
I
C
= 7.5A
I
C
= 7.5A
8
10
12
14
16
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图5 ,通态电压VS门极 - 发射极电压
1.10
6
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
,结温( ° C)
图6 ,通态电压VS结温
60
0
-50
BV
CES
,集电极 - 发射极击穿
电压(归)
I
C,
DC集电极电流( A)
50
40
30
20
10
0
-50
1.05
1.00
0.95
050-7470
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与结温
0.90
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图8 , DC集电极电流与外壳温度
修订版D
2-2006