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APT12045L2VFR 参数 Datasheet PDF下载

APT12045L2VFR图片预览
型号: APT12045L2VFR
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内容描述: 功率MOS V [POWER MOS V]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 129 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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典型性能曲线
I
D
,漏极电流(安培)
遥控模型
60
50
APT12045L2VFR
VGS = 15V , 10V , 8V & 6V
5.5
5V
连接点
TEMP 。 ( ° C)
0.0367
0.0627F
40
30
20
10
4V
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图3 ,低电压输出特性
1.4
V
动力
(瓦特)
0.0923
0.761F
4.5V
0.0215
外壳温度。 ( ° C)
50.8F
0
图2 ,瞬态热阻抗模型
VDS>的ID (ON )× R DS( ON)的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 %占空比
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
80
I
D
,漏极电流(安培)
70
60
50
40
30
20
10
0
1.3
1.2
1.1
1.0
0.09
0.08
GS
归一
= 10V @ I = 14A
D
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
VGS=10V
VGS=20V
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
图4 ,传热特性
0
30
25
20
15
10
5
0
BV
DSS
,漏极 - 源极击穿
电压(归)
10
20
30
40
50
I
D
,漏极电流(安培)
图5中,R
DS ( ON)
VS漏电流
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
I
D
,漏极电流(安培)
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图6 ,最大漏极电流与外壳温度
2.5
I
V
D
25
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
= 14A
= 10V
2.0
1.5
1.0
V
GS ( TH)
阈值电压
(归一化)
GS
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图8中,R
DS ( ON)
与温度的关系
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 ,阈值电压与温度
-50
050-5844修订版A
4-2004