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APT100GF60LR 参数 Datasheet PDF下载

APT100GF60LR图片预览
型号: APT100GF60LR
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内容描述: 快速IGBT是新一代高压功率IGBT的。 [The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制双极性晶体管高压局域网
文件页数/大小: 3 页 / 42 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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动态特性( IGBT )
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
d
(上)
t
r
t
d
(关闭)
t
f
t
d
(上)
t
r
t
d
(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
d
(上)
t
r
t
d
(关闭)
t
f
E
ts
GFE
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT100GF60B2R/LR
测试条件
电容
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CC
= 0.5V
CES
电阻开关( 25
°
C)
V
GE
= 15V
I
C
= I
C2
V
CC
= 0.80V
CES
I
C
= I
C2
典型值
最大
单位
4400
480
300
126
20
75
50
200
190
270
50
170
400
95
6.3
5.2
11.5
6000
675
450
pF
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极( "Miller " )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
nC
RY
6
ns
EL
IM
电感式开关( 150
°
C)
V
(峰值) = 0.66V
CES
V
GE
= 15V
I
C
= I
C2
R
G
= 10Ω
T
J
= +150°C
IN
R
G
= 10Ω
A
ns
导通开关能量
关断开关能量
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
mJ
PR
电感式开关( 25
°
C)
V
(峰值) = 0.66V
CES
V
GE
= 15V
I
C
= I
C2
R
G
= 10Ω
5.5
180
360
90
10.5
mJ
S
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
4
T
J
= +25°C
V
CE
= 20V ,我
C
= I
C2
正向跨导
热和机械特性( IGBT和FRED )
符号
R
θJC
R
θJA
W
T
特征
结到外壳( IGBT )
结到外壳( FRED )
结到环境
典型值
最大
单位
0.42
0.90
40
0.22
oz
gm
° C / W
包装重量
6.1
10
磅•在
N·m的
力矩
1
使用6-32或3毫米捆绑头机螺钉安装扭矩
1.1
052-6217修订版A
重复评价:脉冲宽度有限的最高结温。
I
C
= I
C2
, V
CC
= 50V ,R
GE
= 25
, L = 17μH ,T
j
= 25°C
见MIL -STD -750方法3471
的最大电流由铅温度的限制。
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
5
2
3
4
的最大电流由铅温度的限制。