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APT100GF60JR 参数 Datasheet PDF下载

APT100GF60JR图片预览
型号: APT100GF60JR
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内容描述: 快速IGBT是新一代高压功率IGBT的。 [The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制双极性晶体管高压局域网
文件页数/大小: 3 页 / 65 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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APT100GF60JR
600V
100A
E
C
快速IGBT
快速IGBT是新一代高压功率IGBT的。运用
非穿通技术的快速IGBT提供了优越的耐用性,
快速开关速度和低集电极 - 发射极电压上。
E
G
S
ISOTOP
®
2
-2
OT
7
•低正向压降
•低尾电流
•额定雪崩
•高频率。切换到20KHz的
•超低漏电流
• RBSOA和SCSOA评分
"UL Recognized"
C
G
E
最大额定值
符号
V
CES
V
CGR
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
I
LM
E
AS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT100GF60JR
单位
集电极 - 栅极电压(R
GE
= 20KW )
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流@ T
C
= 60°C
集电极电流脉冲
1
RBSOA钳位电感负载电流1 R
g
= 11W牛逼
C
= 125°C
单脉冲雪崩能量
总功耗
2
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接: 0.063"案件从10秒。
L
A
IC
N
H
C
ê ION
T T
E A
C M
n个R
VA FO
值D N
A
I
600
±20
100
100
280
200
85
4
600
@ T
C
= 25°C
安培
@ T
C
= 25°C
mJ
°C
500
-55到150
300
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE
( TH )
V
CE
(上)
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压(V
GE
= 0V时,我
C
= 1.0毫安)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 700μA ,T
j
= 25°C)
典型值
最大
单位
600
4.5
5.5
2.2
2.8
6.5
2.7
3.4
1.0
5.0
±100
nA
052-6261冯 - 5-2001
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 50A ,T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 50A ,T
j
= 125°C)
集电极截止电流(V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C)
集电极截止电流(V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ,T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流(V
GE
= ±20V, V
CE
= 0V)
I
CES
I
GES
mA
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
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欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
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