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APT10078BFLL 参数 Datasheet PDF下载

APT10078BFLL图片预览
型号: APT10078BFLL
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内容描述: 功率MOS 7TM是新一代低损耗,高电压,N沟道增强型功率MOSFET 。 [Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 5 页 / 203 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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56
操作点这里
限制根据RDS ( ON)
10,000
APT10078BFLL_SFLL
西塞
I
D
,漏极电流(安培)
C,电容(pF )
10
5
100µS
1000
科斯
1mS
1
10mS
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
100
CRSS
.1
1
10
100
1000
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图10 ,最大安全工作区
I
D
= 14A
I
DR
,反向漏电流(安培)
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
16
0
10
20
30
40
50
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图11 ,电容VS漏极至源极电压
200
100
10
12
VDS=100V
VDS=250V
TJ = + 150°C
10
TJ = + 25°C
8
VDS=400V
4
20
40
60
80 100
120 140
Q
g
,总栅极电荷( NC)
图12 ,栅极电荷VS栅极至源极电压
60
50
t
D(关闭)
0
0
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图13 ,源极 - 漏极二极管的正向电压
50
40
t
f
V
DD
G
t
D(上)
和T
D(关闭)
(纳秒)
40
30
20
10
0
= 667V
R
= 3Ω
T = 125°C
J
t
r
和T
f
(纳秒)
30
V
DD
G
L = 100μH
= 667V
20
R
= 3Ω
T = 125°C
J
L = 100μH
t
D(上)
t
r
10
0
I
D
(A)
图14 ,延迟时间 - 电流
V
DD
G
5
10
15
20
25
15
20
25
I
D
(A)
图15 ,上升和下降时间 - 电流
1000
E
on
开关能量( μJ )
0
0
5
10
1400
1200
开关能量( μJ )
= 667V
R
= 3Ω
T = 125°C
J
L = 100μH
E
on
800
1000
800
600
400
200
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
600
400
E
关闭
200
V
I
DD
4-2006
= 667V
D
J
= 14A
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
050-7040修订版D
E
关闭
0
5
10
0
0
15
20
25
I
D
(A)
图16 ,开关能量 - 电流
0
二极管的反向恢复。
5
10
15
20
25
30
R
G
,栅极电阻(欧姆)
图17 ,交换能量 - 栅极电阻