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APT10050JN 参数 Datasheet PDF下载

APT10050JN图片预览
型号: APT10050JN
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内容描述: N沟道增强型高压功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
文件页数/大小: 4 页 / 64 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
(上)
t
r
t
d
(关闭)
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT10050JN
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 0.6Ω
典型值
最大
单位
5425
710
230
235
24
107
15
15
47
15
6500
995
350
370
36
160
30
30
75
30
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller " )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特性/测试条件
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
1
APT10050JN
典型值
最大
单位
20.5
82
1.8
1280
16
2000
32
安培
APT10050JN
2
(V
GS
= 0V时,我
S
= -I
D
[续] )
ns
µC
反向恢复时间(I
S
= -I
D
[续] , DL
S
/ DT = 100A / μs)内
反向恢复电荷(我
S
= -I
D
[续] , DL
S
/ DT = 100A / μs)内
封装特性
符号
L
D
L
S
V
隔离
C
隔离
力矩
特性/测试条件
内部排水电感
(测量从漏极引脚死去的中心。 )
内部源极电感
(测量从源极到源邦德片)
RMS电压
( 50-60赫兹正弦波从终端到安装底座,持续1分钟。 )
漏到安装底座电容
( F = 1MHz的)
最大扭矩为设备安装螺钉和电气终端。
典型值
最大
单位
nH
3
5
2500
35
13
pF
在磅
1
重复评价:脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线。 (图1)
2
脉冲测试:脉冲宽度< 380
µS,
占空比< 2 %
3
见MIL -STD -750方法3471
0.3
Z
JC
,热阻抗( ℃/ W)
θ
D=0.5
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
0.01
0.005
0.02
0.01
单脉冲
0.001
10
-5
10
-4
注意:
PDM
t1
t2
占空比D = T1 / T2
050-0037 F版
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间(秒)
图1 ,最大有效瞬态热阻抗,结点到外壳VS脉冲持续时间