D
TO-220
G
S
APT1004RKN
APT1004R2KN
1000V 3.6A 4.00
Ω
1000V 3.5A 4.20
Ω
功率MOS IV
®
N - 沟道增强型高压功率MOSFET
最大额定值
符号参数
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25 ° C,减免以上25℃
1
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT1004R2KN
1000
3.5
14.0
±30
125
-55到150
APT1004RKN
1000
3.6
14.4
单位
伏
安培
安培
伏
瓦
°C
T
J
,T
英镑
工作和存储结温范围
静态电气特性
符号特性/测试条件/型号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
I
D
(上)
漏源击穿电压(V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA)
零栅极电压漏极电流(V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
(V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ,T
C
= 125°C)
门源漏电流(V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V)
在国家漏极电流
2
民
APT1004RKN
APT1004R2KN
典型值
最大
单位
伏
伏
1000
1000
250
1000
±100
µA
nA
安培
安培
APT1004RKN
APT1004R2KN
3.6
3.5
2
4
4.00
4.20
(V
DS
& GT ;我
D
(接通)个R
DS
(ON )最大值,V
GS
= 10V)
2
V
GS
( TH )栅极阈值电压(V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0毫安)
R
DS
(上)
静态漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ,我
D
= 0.5 I
D
[续] )
APT1004RKN
APT1004R2KN
伏
欧
欧
热特性
符号特性
R
θJC
R
θJA
T
L
结到外壳
结到环境
马克斯。铅温度。用于焊接条件: 0.063"案件从10秒。
民
典型值
最大
单位
° C / W
° C / W
°C
1.00
80
300
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
050-0036版本C
美国
405 S.W.哥伦比亚街
德,俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话: ( 541 ) 382-8028
电话: ( 33 ) 5 57 92 15 15
传真: ( 541 ) 388-0364
FAX : ( 33 ) 10 56 47 97 61
欧洲
大道J.F.肯尼迪蝙蝠B4公园Cadéra北