APT1004R2KN 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APT1004R2KN
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内容描述：	N沟道增强型高压功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲高压局域网高电压电源
文件页数/大小：	4 页 / 55 K
品牌：	ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]

APT1004R/1004R2KN

I D ，漏电流（安培）

= 5.5V ， 6V &10V

=10V

5.5V

4.5V

100

200

300

400

500

VDS ，漏极至源极电压（伏）

图2 ，典型输出特性

VDS ，漏极至源极电压（伏）

图3 ，典型输出特性

RDS（ON），漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

2.5

中T = 25℃

I D ，漏电流（安培）

T = -55°C

V >我（ON ）× R（ ON ） MAX 。

DS ð

230μ秒。脉冲测试

T = + 25°C

T = + 125°C

2μ SEC 。脉冲测试

归一

2.0

= 10V @ 0.5 I [续]

1.5

=10V

=20V

1.0

T = + 125°C

T = + 25°C

T = -55°C

0.5

VGS ，栅极至源极电压（伏）

图4 ，一般传输特性

0.0

ID ，漏极电流（安培）

图5 ， RDS （ ON）与漏电流

1.2

BVDSS ，漏极 - 源极击穿

电压（归）

I D ，漏电流（安培）

1.1

APT1004RKN

APT1004R2KN

1.0

0.9

0.8

100

125

150

TC ，外壳温度（ ° C）

图6 ，最大漏极电流与外壳温度

RDS（ON），漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

-25

25 50 75 100 125 150

TJ ，结温（ ° C）

图7 ，击穿电压与温度

1.4

0.7

-50

2.5

= 10V

VGS （ TH ），阈值电压（伏）

（归一化）

I = 0.5 I [续]

2.0

1.2

1.5

1.0

0.8

0.5

0.6

050-0036版本C

0.0

-50 -25

25 50 75 100 125 150

TJ ，结温（ ° C）

图8 ，导通电阻与温度

25 50 75 100 125 150

TC ，外壳温度（ ° C）

图9 ，阈值电压与温度

0.4

-50 -25

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