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    APT1004R2BN-BUTT 参数 Datasheet PDF下载

    APT1004R2BN-BUTT图片预览
    型号： APT1004R2BN-BUTT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
    文件页数/大小： 4 页 / 55 K
    品牌： ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
     浏览型号APT1004R2BN-BUTT的Datasheet PDF文件第1页浏览型号APT1004R2BN-BUTT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APT1004R2BN-BUTT的Datasheet PDF文件第4页  
    APT1004R/1004R2BN
    5
    VGS = 5.5V ， 6V &10V
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    4
    5V
    5
    VGS = 10V
    6V
    4
    5.5V
    5V
    3
    3
    2
    4.5V
    2
    4.5V
    1
    4V
    0
    100
    200
    300
    400
    500
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（伏）
    图2 ，典型输出特性
    0
    1
    4V
    4
    0
    8
    12
    16
    20
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（伏）
    图3 ，典型输出特性
    0
    R
    DS
    （ON ） ，漏极至源极导通电阻
    10
    TJ = -55°C
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    8
    V
    >我（ON）个R
    （ ON） MAX 。
    DS ð
    DS
    230μ秒。脉冲测试
    2.5
    中T = 25℃
    J
    TJ = + 25°C
    TJ = + 125°C
    2μ SEC 。脉冲测试
    归一
    2.0
    V
    GS
    = 10V @ 0.5 I [续]
    D
    6
    1.5
    VGS = 10V
    VGS = 20V
    4
    1.0
    2
    TJ = + 125°C
    TJ = + 25°C
    TJ = -55°C
    0.5
    0
    2
    4
    6
    8
    V
    GS
    ，栅极至源极电压（伏）
    图4 ，一般传输特性
    5
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    0
    0.0
    0
    8
    2
    4
    6
    10
    12
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    图5中，R
    DS
    （ ON）与漏电流
    BV
    DSS
    （ON ） ，漏极 - 源极击穿
    电压（归）
    V
    GS
    （ TH ） ，阈值电压
    （归一化）
    1.2
    4
    APT1004RRBN
    1.1
    3
    1.0
    APT1004R2BN
    2
    0.9
    1
    0.8
    50
    75
    100
    125
    150
    T
    C
    ，外壳温度（ ° C）
    图6 ，最大漏极电流与外壳温度
    R
    DS
    （ON ） ，漏极至源极导通电阻
    （归一化）
    2.5
    I = 0.5 I [续]
    D
    D
    0
    25
    -25
    0
    25 50 75 100 125 150
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    图7 ，击穿电压与温度
    1.4
    0.7
    -50
    V
    GS
    = 10V
    2.0
    1.2
    1.5
    1.0
    1.0
    0.8
    0.5
    0.6
    050-0011版本C
    0.0
    -50
    -25
    0
    25 50 75 100 125 150
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    图8 ，导通电阻与温度
    0
    25 50 75 100 125 150
    T
    C
    ，外壳温度（ ° C）
    图9 ，阈值电压与温度
    0.4
    -50 -25

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