APT10040B2VR_02 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APT10040B2VR_02
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内容描述：	功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET [Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs]
分类和应用：	高压
文件页数/大小：	4 页 / 78 K
品牌：	ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]

APT10040 B2VR - LVR

100

，漏极电流（安培）

操作点这里

限制根据RDS （ ON）

40,000

100µS

10,000

C，电容（pF ）

西塞

5,000

1mS

1,000

500

科斯

10mS

TC = + 25°C

TJ = + 150°C

单脉冲

CRSS

100

5 10

50 100

500 1000

，漏极至源极电压（伏）

图10 ，最大安全工作区

，栅极至源极电压（伏）

I = I [续]

.01

，漏极至源极电压（伏）

图11 ，电容VS漏极至源极电压

，反向漏电流（安培）

100

VDS=100V

VDS=250V

VDS=400V

TJ = + 150°C

TJ = + 25°C

100

200

300

400

500

，总栅极电荷（ NC）

图12 ，栅电荷VS栅极至源极电压

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

，源极到漏极电压（伏）

图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压

T-最大

（ B2 ）封装外形

4.69 (.185)

5.31 (.209)

1.49 (.059)

2.49 (.098)

15.49 (.610)

16.26 (.640)

5.38 (.212)

6.20 (.244)

TO- 264 （ L）包装外形

4.60 (.181)

5.21 (.205)

1.80 (.071)

2.01 (.079)

19.51 (.768)

20.50 (.807)

3.10 (.122)

3.48 (.137)

5.79 (.228)

6.20 (.244)

漏

20.80 (.819)

21.46 (.845)

漏

25.48 (1.003)

26.49 (1.043)

4.50 （ 0.177 ）最大。

0.40 (.016)

0.79 (.031)

2.87 (.113)

3.12 (.123)

1.65 (.065)

2.13 (.084)

2.29 (.090)

2.69 (.106)

19.81 (.780)

21.39 (.842)

2.29 (.090)

2.69 (.106)

19.81 (.780)

20.32 (.800)

1.01 (.040)

1.40 (.055)

050-5909修订版A 5-2002

门

漏

来源

0.48 (.019)

0.84 (.033)

2.59 (.102)

3.00 (.118)

门

漏

来源

2.21 (.087)

2.59 (.102)

5.45 （ 0.215 ） BSC

2-Plcs.

0.76 (.030)

1.30 (.051)

2.79 (.110)

3.18 (.125)

5.45 （ 0.215 ） BSC

2-Plcs.

这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。

尺寸以毫米（英寸）

APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个：

4,895,810

5,256,583

5,045,903

4,748,103

5,089,434

5,283,202

5,182,234

5,231,474

5,019,522

5,434,095

5,262,336

5,528,058

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