APT1003RBLL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APT1003RBLL
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内容描述：	功率MOS 7 MOSFET [POWER MOS 7 MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	5 页 / 103 K
品牌：	ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]

典型性能曲线

，漏极电流（安培）

APT1003RBLL_SLL

VGS = 15 & 10V

7.5V

6.5V

遥控模型

连接点

TEMP 。（ ° C）

0.386

动力

（瓦特）

0.508

外壳温度。（ ° C）

0.0903F

0.00336F

5.5V

，漏极至源极电压（伏）

图3 ，低电压输出特性

图2 ，瞬态热阻抗模型

，漏极电流（安培）

（ON ），漏极至源极导通电阻

VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。

250μSEC 。脉冲测试

@ <0.5 ％占空比

1.40

归一

= 10V @ 2A

1.30

VGS=10V

1.20

TJ = -55°C

1.10

VGS=20V

TJ = + 25°C

1.00

0.90

0.80

TJ = + 125°C

，栅极至源极电压（伏）

图4 ，传热特性

2 3

4 5 6

8 9 10

，漏极电流（安培）

图5中，R

（ ON）与漏电流

3.5

，漏极电流（安培）

DSS

，漏极 - 源极击穿

电压（归）

1.15

1.10

1.05

2.5

1.5

0.5

1.00

0.95

0.90

0.85

-50 -25

75 100 125 150

，结温（ ° C）

图7 ，击穿电压与温度

1.2

100

125

150

，外壳温度（ ° C）

图6 ，最大漏极电流与外壳温度

（ON ），漏极至源极导通电阻

（归一化）

2.5

= 2A

= 10V

2.0

（ TH ），阈值电压

（归一化）

1.1

1.0

1.5

0.9

1.0

0.5

0.7

0.6

-50

0.0

-50

-25

25 50

75 100 125 150

，结温（ ° C）

图8 ，导通电阻与温度

-25

75 100 125 150

，外壳温度（ ° C）

图9 ，阈值电压与温度

050-7119修订版A

1-2004

0.8

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