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APT10035B2LL 参数 Datasheet PDF下载

APT10035B2LL图片预览
型号: APT10035B2LL
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内容描述: 功率MOS 7TM是新一代低损耗,高电压,N沟道增强型功率MOSFET 。 [Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 5 页 / 94 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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典型性能曲线
112
I
D
,漏极电流(安培)
操作点这里
限制根据RDS ( ON)
APT10035B2LL - LLL
20,000
10,000
西塞
C,电容(pF )
50
100µS
10
1,000
科斯
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1
10
100
1000
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图10 ,最大安全工作区
1
1mS
10mS
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
16
I
D
= 28A
I
DR
,反向漏电流(安培)
CRSS
0
10
20
30
40
50
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图11 ,电容VS漏极至源极电压
200
100
100
12
VDS=200V
VDS=500V
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
8
VDS=800V
4
50
100
150
200
250
Q
g
,总栅极电荷( NC)
图12 ,栅极电荷VS栅极至源极电压
180
160
140
t
D(关闭)
0
0
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图13 ,源极 - 漏极二极管的正向电压
80
V
DD
G
= 670V
R
= 5Ω
T = 125°C
J
60
V
DD
G
L = 100μH
t
f
t
D(上)
和T
D(关闭)
(纳秒)
120
100
80
60
40
20
0
0
= 670V
R
= 5Ω
T = 125°C
J
t
r
和T
f
(纳秒)
L = 100μH
40
t
r
20
t
D(上)
0
10
20
30
40
50
I
D
(A)
图14 ,延迟时间 - 电流
30
40
50
I
D
(A)
图15 ,上升和下降时间 - 电流
5000
V
DD
G
0
10
20
2500
= 670V
R
= 5Ω
E
on
开关能量( μJ )
2000
开关能量( μJ )
T = 125°C
J
4000
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
关闭
1500
3000
E
on
2000
1000
V
I
DD
= 670V
3-2003
D
J
= 28A
500
E
关闭
0
30
40
50
I
D
(A)
图16 ,开关能量 - 电流
0
10
20
1000
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
050-7010版本C
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
,栅极电阻(欧姆)
图17 ,交换能量 - 栅极电阻
0
0
5