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APT10030L2VR 参数 Datasheet PDF下载

APT10030L2VR图片预览
型号: APT10030L2VR
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内容描述: 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 [Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
文件页数/大小: 4 页 / 132 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT10030L2VR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 500V
I
D
= 33A @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 500V
I
D
= 33A @ 25°C
R
G
= 0.6Ω
典型值
最大
单位
10600
1000
500
585
55
265
14
16
75
14
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
典型值
最大
单位
安培
ns
µC
33
132
1.3
1150
31
10
(体二极管)
(V
GS
= 0V时,我
S
= -33
A
)
反向恢复时间(I
S
= -33
A
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
反向恢复电荷(我
S
= -33
A
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
典型值
最大
单位
° C / W
0.15
40
1重复额定值:脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试:脉冲宽度< 380微秒,占空比< 2 %
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C,L = 5.88mH ,R
G
= 25Ω ,峰值I
L
= 33A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性,而不是
设备本身。
IS
-
ID
33A
di
/
dt
700A/µs
VR
1000V
TJ
150
°
C
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
0.16
Z
JC
,热阻抗( ℃/ W)
θ
0.14
0.12
0.9
0.7
0.10
0.08
0.06
0.3
0.04
0.02
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
0.5
注意:
PDM
t1
t2
050-5990修订版B
5-2004
单脉冲
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间(秒)
图1 ,最大有效瞬态热阻抗,结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0