APT1002RCN 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APT1002RCN
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内容描述：	N - 沟道增强型高压功率MOSFET [N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
文件页数/大小：	4 页 / 53 K
品牌：	ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]

APT1002RCN

10µS

，漏极电流（安培）

1mS

操作点这里

限于由R

（上）

10,000

100µS

C，电容（pF ）

西塞

1,000

科斯

100

CRSS

0.5

TC = + 25°C

TJ = + 150°C

单脉冲

10mS

100mS

0.1

5 10

50 100

500 1000

，漏极至源极电压（伏）

图10 ，最大安全工作区

I = I [续]

，漏极至源极电压（伏）

图11 ，典型电容VS漏极至源极电压

，反向漏电流（安培）

100

，栅极至源极电压（伏）

VDS=100V

VDS=200V

TJ = + 150°C

TJ = + 25°C

VDS=500V

100

，总栅极电荷（ NC）

图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压

0.5

1.0

1.5

2.0

，源极到漏极电压（伏）

图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压

TO- 254AA封装外形

13.84 (.545)

13.59 (.535)

1.27 (.050)

1.02 (.040)

6.91 (.272)

6.81 (.268)

3.78 （ 0.149 ）直径。

3.53 (.139)

20.32 (.800)

20.06 (.790)

13.84 (.545)

13.59 (.535)

17.40 (.685)

16.89 (.665)

31.37 (1.235)

30.35 (1.195)

漏

来源

门

3.81 （ 0.150 ） BSC

6.60 (.260)

6.32 (.249)

1.14 （ 0.045 ）直径。典型值。

0.89 （ 0.035 ） 3信息

3.81 （ 0.150 ） BSC

050-0015版本C

尺寸以毫米（英寸）

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