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APT10026L2LL 参数 Datasheet PDF下载

APT10026L2LL图片预览
型号: APT10026L2LL
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内容描述: 功率MOS 7TM是新一代低损耗,高电压,N沟道增强型功率MOSFET 。 [Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 68 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
 浏览型号APT10026L2LL的Datasheet PDF文件第1页  
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT10026L2LL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
典型值
最大
单位
7680
1270
252
294
45
17
8
9
39
196
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller " )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流
1
二极管的正向电压
L
A
IC
N
H
C
ê ION
T T
E A
C M
n个R
VA FO
值D N
A
I
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
R
G
= 0.6W
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
典型值
(体二极管)
2
ns
最大
单位
安培
ns
µC
38
152
1.3
(V
GS
= 0V时,我
S
= -I
D [续]
)
反向恢复时间(I
S
= -I
D [续]
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
反向恢复电荷(我
S
= -I
D [续]
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
1182
31.9
10
V / ns的
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
特征
结到外壳
结到环境
典型值
最大
单位
° C / W
0.14
40
1
重复评价:脉冲宽度有限的最高结
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C,L = 4.43mH , R = 25W ,峰值I = 38A
温度。
j
G
L
2
脉冲测试:脉冲宽度< 380 μS ,占空比< 2 %
5 DV
/
号反映了测试电路的局限性,而不是
dt
设备本身。
IS
£
-
ID
[
续。
]二
/
dt
£
700A/µs
VR
£
VDSS TJ
£
150
°
C
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
TO- 264 MAX
TM
( L2 )封装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
050-7024修订版A 9-2001
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 ( 0.215 ) BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米(英寸)
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个: 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058