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APT1001R6SFLL 参数 Datasheet PDF下载

APT1001R6SFLL图片预览
型号: APT1001R6SFLL
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内容描述: 功率MOS 7 R FREDFET [POWER MOS 7 R FREDFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 5 页 / 153 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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典型性能曲线
I
D
,漏极电流(安培)
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
VGS = 15,10 & 7.5V
APT1001R6BFLL_SFLL
7V
6.5V
遥控模型
连接点
温度。 ( “C )
0.205
动力
(瓦特)
0.264
外壳温度
0.0981F
0.00544F
6V
5.5V
5V
图2 ,瞬态热阻抗模型
20
18
I
D
,漏极电流(安培)
VDS>的ID (ON )× R DS( ON)的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 %占空比
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图3 ,低电压输出特性
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
1.40
1.30
1.20
归一
= 10V 4A
V
GS
16
14
12
10
8
6
4
2
0
TJ = -55°C
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
VGS=10V
1.10
1.00
0.90
0.80
VGS=20V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
图4 ,传热特性
0
2
4
6
8
10
12 14
16
I
D
,漏极电流(安培)
图5中,R
DS
( ON)与漏电流
I
D
,漏极电流(安培)
7
6
5
4
3
2
1
0
25
BV
DSS
,漏极 - 源极击穿
电压(归)
V
GS
( TH ) ,阈值电压
(归一化)
8
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图6 ,最大漏极电流与外壳温度
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
(归一化)
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与温度
1.2
2.5
I
V
D
= 4A
= 10V
GS
2.0
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图8 ,导通电阻与温度
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 ,阈值电压与温度
050-7126修订版A
4-2004