APT1001R1AVR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APT1001R1AVR
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内容描述：	功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET [Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs]
分类和应用：	高压
文件页数/大小：	4 页 / 72 K
品牌：	ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]

APT1001R1AVR

，漏极电流（安培）

操作点这里

限制根据RDS （ ON）

10µS

100µS

C，电容（pF ）

11,000

5,000

1mS

西塞

1,000

科斯

500

CRSS

TC = + 25°C

TJ = + 150°C

单脉冲

10mS

100mS

100

.01

，漏极至源极电压（伏）

图11 ，典型电容VS漏极至源极电压

，反向漏电流（安培）

5 10

50 100

500 1000

，漏极至源极电压（伏）

图10 ，最大安全工作区

I = I [续]

，栅极至源极电压（伏）

VDS=100V

VDS=200V

VDS=500V

TJ = + 150°C

TJ = + 25°C

100

150

200

250

300

，总栅极电荷（ NC）

图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

，源极到漏极电压（伏）

图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压

TO- 3 （ TO- 204AE ）封装外形

座位

飞机

3.84 (.151)

4.09 (.161)

(2-Places)

门

来源

16.64 (.655)

17.15 (.675)

38.61 (1.52)

39.12 (1.54)

22.23 （ 0.875 ）最大。

1.47 (.058)

1.60 (.063)

(2-Places)

漏

（案例）

29.90 (1.177)

30.40 (1.197)

1.52 (.060)

3.43 (.135)

6.35 (.250)

9.15 (.360)

7.92 (.312)

12.70 (.500)

5.21 (.205)

5.72 (.225)

10.67 (.420)

11.18 (.440)

25.15 (0.990)

26.67 (1.050)

050-5833修订版A

尺寸以毫米（英寸）

APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个： 4895810

5,256,583

5,045,903

4,748,103

5,089,434

5,283,202

5,182,234

5,231,474

5,019,522

5,434,095

5,262,336

5,528,058

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