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型号: APL602J
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内容描述: 线性MOSFET 600V 43A 0.125з [LINEAR MOSFET 600V 43A 0.125з]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲放大器局域网
文件页数/大小: 4 页 / 76 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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APL602J
600V 43A 0.125
线性MOSFET
线性MOSFET是在直线运行应用进行了优化
区域并发高电压和高电流可发生于
接近直流的条件( >100毫秒) 。
•更高的FBSOA
•热门SOT- 227封装
G
S
D
S
22
T-
SO
7
"UL Recognized"
ISOTOP
®
D
•更高的功率耗散
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
G
S
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APL602J
单位
安培
600
43
172
±30
±40
565
4.52
-55到150
300
43
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度: 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
W / ℃,
°C
安培
mJ
(重复,不重复)
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3000
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D
(上)
R
DS
(上)
I
DSS
I
GSS
V
GS
( TH )
特性/测试条件/型号
漏源击穿电压(V
GS
= 0V时,我
D
= 250 µA)
在国家漏极电流
2
典型值
最大
单位
安培
600
43
0.125
25
(V
DS
& GT ;我
D
(接通)个R
DS
(ON )最大值,V
GS
= 12V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 12V, 21.5A )
µA
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 600V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ,T
C
= 125°C)
门源漏电流(V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安)
250
±100
2
4
nA
8-2003
050-5895版本C
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com