APL502B2 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APL502B2
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内容描述：	线性MOSFET [LINEAR MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
文件页数/大小：	4 页 / 72 K
品牌：	ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]

500V 58A 0.090

Ω

APL502B2

APL502L

线性MOSFET

T- MAX ™

TO-264

线性MOSFET是在直线运行应用进行了优化

区域并发高电压和高电流可发生于

接近直流的条件（ >100毫秒）。

•热门

T- MAX ™

或TO- 264封装

•更高的功率耗散

最大额定值

符号

DSS

GSM

英镑

参数

漏源电压

连续漏电流@ T

= 25°C

漏电流脉冲

•更高的FBSOA

所有评分：T已

= 25 ° C除非另有规定ED 。

APL502B2-L

单位

伏

安培

500

232

±30

±40

730

5.84

-55到150

300

门源电压连续

栅源电压瞬态

总功率耗散@ T

= 25°C

线性降额因子

工作和存储结温范围

焊接温度： 0.063"案件从10秒。

雪崩电流

伏

瓦

W / ℃，

°C

安培

（重复，不重复）

重复性雪崩能量

单脉冲雪崩能量

3000

静态电气特性

符号

DSS

（上）

DSS

GSS

（ TH ）

特性/测试条件/型号

漏源击穿电压（V

= 0V时，我

= 250 µA)

在国家漏极电流

民

典型值

最大

单位

伏

安培

500

0.09

＆ GT ;我

（接通）个R

（ON ）最大值，V

= 12V)

漏源导通电阻

= 12V ，29A ）

欧

µA

零栅极电压漏极电流（V

= 500V, V

= 0V)

零栅极电压漏极电流（V

= 400V, V

= 0V ，T

= 125°C)

门源漏电流（V

= ±30V, V

= 0V)

栅极阈值电压

= V

, I

= 2.5毫安）

250

±100

8-2003

050-5896修订版D

伏

注意事项：

这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。

APT网站 - http://www.advancedpower.com

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