APT20M18B2VFR
A20M18LVFR
200V 100A
0.018
Ω
功率MOS V
®
FREDFET
B2VFR
功率MOS V
®
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应,
增加填充密度,并降低了导通电阻。功率MOS V
®
还实现了门,通过优化布局更快的开关速度。
T- MAX ™
TO-264
LVFR
•
T- MAX ™
或TO- 264封装
•更快的开关
•低漏
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
6
•额定雪崩能量
•
快速恢复体二极管
G
S
D
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20M18B2VFR_LVFR
单位
伏
安培
200
@ T
C
= 25°C
100
400
±30
±40
625
5.00
-55到150
300
100
50
3000
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度: 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃,
°C
安培
mJ
(重复,不重复)
1
4
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
特性/测试条件
漏源击穿电压(V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
200
0.018
250
1000
±100
2
4
(V
GS
= 10V ,我
D
= 50A)
欧
µA
nA
伏
5-2004
050-5906修订版A
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 200V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 160V, V
GS
= 0V ,T
C
= 125°C)
门源漏电流(V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压(V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安)
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
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