D
TO-254
G
S
功率MOS IV
最大额定值
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
参数
漏源电压
栅源电压
TM
2N7227
400伏
JX2N7227*
JV2N7227*
0.315
Ω
*符合MIL -S - 592分之19500 31/7/92
JEDEC挂号N - 通道高电压功率MOSFET
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
2N7227
单位
伏
400
±20
14
R
at
ed
he
民
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
雪崩电流
1
1
9
安培
56
14
150
瓦
总功率耗散@ T
C
= 25°C
P
D
总功率耗散@ T
C
= 100°C
线性降额因子
E
AS
E
AR
T
J
,T
英镑
T
L
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
60
1.2
700
15
W¯¯ / K
mJ
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接条件： 0.063"案件从10秒。
nc
-55到150
300
°C
静态电气特性
符号
BV
DSS
V
GS
（ TH ）
I
DSS
I
GSS
I
D
（上）
特性/测试条件
va
la
典型值
最大
单位
伏
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250µA)
栅极阈值电压
400
2
4
25
250
±100
14
0.315
0.680
0.415
A
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V)
在国家漏极电流
2
µA
nA
安培
(V
DS
＆ GT ;我
D
（接通）个R
DS
（ON ）最大值，V
GS
= 10V)
2
2
2
漏源导通电阻
R
DS
（上）
漏源导通电阻
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ，我
D
= 9.0A)
(V
GS
= 10V ，我
D
= 9.0A ，T
C
= 125°C)
(V
GS
= 10V ，我
D
= 14.0A)
欧
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
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051-4015修订版D
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