1011LD110
110瓦， 32伏特
脉冲航空电子1030年至1090年兆赫
LDMOS FET
概述
该1011LD110是一个共同的来源N沟道增强模式
能提供110 W的横向MOSFET
pk
RF功率的1030年至1090年
兆赫。该装置是氮化物钝化并利用镀金，以确保
最高的平均无故障时间。该晶体管包括输入和输出预匹配为
宽带能力。低热阻封装降低结
温度，延长使用寿命。
案例外形
55QZ-1
（共源）
绝对最大额定值
功耗
设备损耗@ 25°C （P
d
)
电压和电流
漏源（V
DSS
)
门源（V
GS
)
温度
储存温度
工作结温
300 W
75V
±
20V
-65到+ 150°C
+200°C
电气特性@ 25°C
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
g
FS
θ
JC1
特征
漏源击穿
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
栅极阈值电压
漏源电压
正向跨导
热阻
测试条件
V
gs
= 0V时，我
d
= 10毫安
V
ds
= 32V, V
gs
= 0V
V
gs
= 10V, V
ds
= 0V
V
ds
= 10V ，我
d
= 20毫安
V
gs
= 10V ，我
d
= 1A
V
ds
= 10V ，我
d
= 1A
民
75
5
1
6
0.3
1
0.6°
典型值
最大
单位
V
µA
µA
V
V
S
摄氏度/ W
3
功能特性@ 25 ° C， VDS = 32V ，我
dq
= 250毫安
G
PS
Pd
η
d
ψ
注意事项：
共源功率增益
脉冲下垂
漏EF网络效率
负载不匹配
脉冲宽度= 32
µs,
LTDC=2%
F =一千○九十〇分之一千○三十零兆赫，P
OUT
= 110W
F = 1030兆赫，P
OUT
= 110W
F = 1090兆赫，P
OUT
= 110W
13
45
15
0.5
50
3:1
dB
dB
%
1.额定输出功率和脉冲条件
2.脉冲格式1 ： 32μs ， 2 ％长期占空比
版本B - 2004年4月
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