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AMS285-12AN 参数 Datasheet PDF下载

AMS285-12AN图片预览
型号: AMS285-12AN
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内容描述: 微功耗电压基准二极管 [MICROPOWER VOLTAGE REFERENCE DIODE]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 8 页 / 91 K
品牌: ADMOS [ ADVANCED MONOLITHIC SYSTEMS ]
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AMS285-1.2/AMS385-1.2
绝对最大额定值
反向电流
正向电流
工作温度范围
AMS285-1.2
AMS385-1.2
30mA
10mA
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
储存温度
焊接信息
TO- 92封装: 10秒。
SOIC封装:气相( 60秒)
红外(15秒)。
SOT- 89封装: 10秒。
-55 ° C至+ 150°C
260°C
215°C
220°C
265°C
电气特性
我在电气特性
R
= 100
µA,
和T
A
= + 25°C ,除非另有规定。
参数
反向击穿
电压(注4 )
反向动态
阻抗(注4 )
反向击穿
电压的变化与
电流(注4 )
分钟。操作
电流(注4 )
宽带噪声
(注5 )
温度COEFF 。
(注6 )
长期稳定性
(注5 )
T
A
=25°C±.1°C
T = 1000人才招聘
I
R
- 100
µA,
10Hz
f
10kHz
条件
I
R
- 100
µA
I
R
- 100
µA,
F = 20Hz的
10µA
≤I
R
≤1mA
1mA
≤I
R
≤20mA
AMS285A-1.2
典型值
最大
1.231
1.235
0.2
1.0
10
8
10
20
1.239
0.60
AMS285B-1.2
典型值
最大
1.223
1.235
1
1.0
10
8
10
20
1.247
AMS285C-1.2
典型值
最大
1.205
1.235
1
1.0
20
8
15
25
1.260
单位
V
mV
µA
µA
µV
60
60
60
25
50
100
150
PPM /°C的
20
20
20
PPM
电气特性
我在电气特性
R
= 100
µA,
和T
A
= + 25°C ,除非另有规定。
参数
反向击穿
电压(注4 )
反向动态
阻抗(注4 )
反向击穿
电压的变化与
电流(注4 )
分钟。操作
电流(注4 )
宽带噪声
(注5 )
温度COEFF 。
(注6 )
长期稳定性
(注5 )
T
A
=25°C±.1°C
T = 1000人才招聘
I
R
- 100
µA,
10Hz
f
10kHz
条件
I
R
- 100
µA
I
R
- 100
µA,
F = 20Hz的
10µA
≤I
R
≤1mA
1mA
≤I
R
≤20mA
AMS385A-1.2
典型值
最大
1.231
1.235
0.2
1.0
10
8
10
20
1.239
0.60
AMS385B-1.2
典型值
最大
1.223
1.235
1
1.0
20
8
10
20
1.247
AMS385C-1.2
典型值
最大
1.205
1.235
1
1.0
20
8
15
25
1.260
单位
V
mV
µA
µA
µV
60
60
60
25
50
100
150
PPM /°C的
20
20
20
PPM
先进的单片系统公司
6680B塞拉利昂巷,都柏林,CA 94568电话( 925 ) 556-9090传真:( 925 ) 556-9140