AMS1009
绝对最大额定值
（注1 ）
反向电流
20mA
正向电流
10mA
工作温度范围
0 ° C至70℃
储存温度
-55 ° C至+ 150°C
焊接信息
TO- 92封装： 10秒。
SOIC封装：气相（ 60秒）
红外（15秒）。
260°C
215°C
220°C
电气特性
我在电气特性
R
= 1毫安，而T
A
= + 25°C ，除非另有规定。
参数
反向击穿电压
反向动态阻抗
反向击穿电压
更改与当前
温度稳定性
平均气温COEFF 。
长期稳定性（注4 ）
400µA
≤I
R
≤10mA
T
民
≤
T
A
≤
T
最大
0°C
≤
T
A
≤
70°C
T
A
=25°C±.1°C
T = 1000人才招聘
条件
民
2.495
AMS1009A
典型值
最大
2.500
0.2
0.4
2.6
3
1.8
15
20
2.505
0.6
1.4
10
12
4
25
AMS1009B
民
典型值
最大
2.490
2.500
0.2
0.4
2.6
3
1.8
15
20
2.510
1.0
1.4
10
12
4
25
单位
V
Ω
mV
mV
PPM /°C的
PPM
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
拟功能，但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性
.
该
保证规格仅适用于列出的测试条件。
注2 ：
对于高温下操作，T
j
最大值为+ 125°C
热阻
ϕ
JA
（结到环境）
TO-92
170℃ / W （ 0.125“引线）
SO-8
165°C/W
注3 ：
标识参数
黑体字
适用于极端温度。所有其他号码申请在T
A
= T
J
= 25°C.
注4 ：
平均温度系数被定义为参考电压的最大偏差在操作时间之间的所有测得的温度
最大
和T
民
，除以T
最大
- T
民
。所测量的温度是0℃， 25℃和70℃。
典型性能特性
反向特性
反向电压变化（毫伏）
10
反向电流（ μA ）
-1
反向电压变化
5
2.5
电压摆幅（ V）
4
3
2
2.0
1.0
0
响应时间
产量
10
-2
5k
输入
产量
10
-3
T
J
=25° C
10
-4
T
J
=70° C
T
J
= 0° C
~
~
10
输入
~ ~
~ ~
~
~
~
~
1
0
10
-5
0.5
4
0
0
4
12
16
8
反向电流（mA ）
20
0
1.8
2.2
1.0
1.4
反向电压（ V）
2.6
1
时间（μs ）
~
~
20
先进的单片系统公司
6680B塞拉利昂巷，都柏林，CA 94568电话（ 925 ） 556-9090传真：（ 925 ） 556-9140
ADMOS [ ADVANCED MONOLITHIC SYSTEMS ]
