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ACT30AYT 参数 Datasheet PDF下载

ACT30AYT图片预览
型号: ACT30AYT
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内容描述: 高性能离线控制器ActiveSwitcher ? IC系列 [High Performance Off-Line Controller ActiveSwitcher? IC Family]
分类和应用: 控制器
文件页数/大小: 10 页 / 260 K
品牌: ACTIVE-SEMI [ ACTIVE-SEMI, INC ]
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技领半导体公司
功能框图
DRV1
VDD
9k
BIAS
& UVLO
调节器
第5版, 05军, 09
ACT30
2
DRV2
+
3.6V ( ACT30A / C)
4.6V ( ACT30B / D)
控制
频率
1
OSC &
坡道
当前
200k
PFWM
开关
控制
逻辑
错误
COMP
SLEW
20k
1X
56X
56X
ILIM VC
发电机
40
20k
4.75V
10µA/V
GND
GND
: FREQ终端在ACT30C引线键合连接到VDD / D( TO-92 )
: DRV2终端引线键合到DRV1在ACT30B / D( TO-92 )
功能说明
如图中
功能框图,
部件包括开关控制逻辑, 2导通
芯片中压功率MOSFET的并行
电流传感器,驱动器,振荡器和斜
发电机,电流限制VC发生器,误差
比较器,打嗝控制,偏差和下电压 -
锁定和调节电路。
如图中
功能框图,
设计有六个内部终端。 V
VDD
是电源
电源端子。 DRV1和DRV2是线性驱动器
输出,可驱动外部的发射器
高电压NPN晶体管或N沟道MOSFET 。
此发射器 - 驱动方法利用的优点
高V
CBO
晶体管,从而允许以低成本
晶体管,如“ 13003 (Ⅴ
CBO
= 700V )或“ 13002
(V
CBO
= 600V)被用于广泛的AC输入范围。
摆率限制的驱动程序再加上关断
外部NPN transitor结果特征
降低EMI。
驱动器峰值电流被设计为具有
相对于供给负电压系数
电压V
VDD
,使较低的电源电压
自动导致较高的DRV1峰值电流。
这样一来,光耦可以控制V
VDD
影响驱动器的电流。
创新动力
TM
ActiveSwitcher
TM
启动顺序
图1示出了
简化应用电路
在ACT30 。最初,该小电流通过
电阻R1充电最多的电容器C1 ,并且
BJT作为一个追随者,弹出DRV1
电压。一个内部稳压器产生一个V
VDD
电压等于V
DRV1
- 3.6V的ACT30A (V
DRV1
4.6V的ACT30B ),但它限制到5.5V最大。由于V
VDD
十字架5V ,稳压输出功能停止
和V
VDD
开始下降,由于其电流
消费。由于V
VDD
以下电压降低
4.75V时,IC开始随着司机操作
电流。当输出电压达到规
点,光耦反馈电路停止V
VDD
进一步降低。的开关动作也
允许辅助绕组接管
供电电容C1 。图2示出
为ACT30典型的启动顺序。
为了限制辅助电压,采用一个12V齐纳二极管
对于ACT30A或13V齐纳二极管ACT30B ( D1
在图1中的二极管) 。
尽管高达2MΩ的启动电阻(R1)可以是
由于所使用的非常低的启动电流,实际
R1的选择应该考虑作为妥协
与备用电源和启动时间延迟。
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