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ACT30图片预览
型号: ACT30
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内容描述: 高性能离线控制器ActiveSwitcher ? IC系列 [High Performance Off-Line Controller ActiveSwitcher? IC Family]
分类和应用: 控制器
文件页数/大小: 10 页 / 260 K
品牌: ACTIVE-SEMI [ ACTIVE-SEMI, INC ]
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技领半导体公司
应用信息
外部功率晶体管
该ACT30允许低成本的高压电源
NPN晶体管如“ 13003或” 13002中使用
安全地在反激式结构。所需
集电极电压等级为V
AC
=全265V
输出负载为至少600V到700V 。正如在
图4中,一个NPN的击穿电压是
当它被驱动时它的发射极显著改善。
因此, ACT30和' 13002或“ 13003组合
满足必要的故障安全要求
即使RCC电路使用' 13002或者' 13003
别。表1列出了一些击穿电压
晶体管适合于与ACT30使用。
表1:
推荐功率晶体管名单
设备
MJE13002
I
C
第5版, 05军, 09
图4:
NPN反向偏置安全工作区
ACT30
基极驱动
安全区
( RCC )
发射极驱动器
安全区
(ACT30)
V
首席执行官
V
CBO
V
C
V
CBO
V
首席执行官
I
C
h
FEMIN
8
8
8
TO-126
TO-126
TO-92
600V 300V 1.5A
MJE13003,
700V 400V 1.5A
KSE13003
STX13003
700V 400V
1A
耗散在NPN晶体管的功率等于
与集电极电流倍的集电极 - 发射极
电压。其结果是,晶体管必须总是
在饱和时接通,以防止过多的
功耗。选择一个NPN晶体管与
足够高的电流增益(H
FEMIN
> 8 )和碱
驱动电阻(R2在图1中)足够低,以保证
晶体管容易饱和。
图5:
一个3.75W充电器使用ACT30A联合与TL431
F1
AC1
D4
D1
L1
R1
D3
AC2
C1
C2
R2A
D2
R2B
C4
R3
R6
D5
C19
C7
IC2A
OPTO
R13
C8
T1
EE-16
C10
R18
L2
5V/750mA
D8
R9
R10
R11
C9
D6
R5
D7
R7
Z1
Q2
IC3
TL431
R12
R16
R15
GND
IC2B光电
R14
1
IC1
3
ACT30A
2
R8
C3
C5
C6
C20
创新动力
TM
ActiveSwitcher
TM
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